在供給過(guò)剩的影響下，全球記憶體廠自去年第四季起大賠，低迷景氣延續(xù)到今年后，今年首季的虧損情況并無(wú)好轉(zhuǎn)，DRAM廠紛紛在今年首季大砍后段測(cè)試報(bào)價(jià)達(dá)一成到二成不等幅度，五一二MbDDR2顆粒測(cè)試時(shí)間也縮減至三百秒。在此一情況下，今年首季臺(tái)灣記憶體測(cè)試廠中，除了有金士頓加持的力成外，其它如泰林、南茂等營(yíng)運(yùn)績(jī)效都不理想。

    所幸進(jìn)入到第二季后，記憶體廠主流制程轉(zhuǎn)換進(jìn)入到七○奈米后，主流的DDR2顆粒容量亦進(jìn)入到一Gb世代，制程轉(zhuǎn)換腳步最快的力晶與瑞晶，目前投片中有八成比重為一Gb顆粒，至于其他業(yè)者也多自今年第二季起提高一Gb顆粒的產(chǎn)出比重。

    記憶體相關(guān)業(yè)者分析，由于一Gb顆粒線路遠(yuǎn)較先前的五一二Mb顆粒精密許多，加上產(chǎn)出的初期良率相對(duì)不理想，所需的終端測(cè)試時(shí)間相對(duì)增加數(shù)倍，依照目前業(yè)界的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，一Gb顆粒的測(cè)試時(shí)間至少一千秒，平均測(cè)試時(shí)間約在一千三百秒至一千四百秒間，隨測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)，對(duì)記憶體測(cè)試廠來(lái)說(shuō)，將是個(gè)產(chǎn)業(yè)景氣觸底反彈的指標(biāo)訊號(hào)。

    記憶體后段封測(cè)業(yè)者分析，半年來(lái)上游DRAM廠的營(yíng)運(yùn)情況很辛苦，身為其后段代工廠的記憶體測(cè)試業(yè)者也必須跟著共體時(shí)艱，為此，記憶體后段的測(cè)試價(jià)格逐季下砍，單季跌幅都高達(dá)五％至一二％間，對(duì)記憶體測(cè)試廠來(lái)說(shuō)，這半年來(lái)測(cè)試價(jià)格一砍再砍，測(cè)試時(shí)間一縮再縮，無(wú)疑是對(duì)營(yíng)運(yùn)績(jī)效的雙重打擊，測(cè)試廠為了對(duì)抗低迷景氣，第一季幾乎沒(méi)有太多的資本支出。如今隨制程轉(zhuǎn)換讓測(cè)試時(shí)間大幅拉長(zhǎng)，加上測(cè)試價(jià)格跌幅趨緩，在測(cè)試廠的產(chǎn)能利用率開(kāi)始上揚(yáng)下，DRAM測(cè)試產(chǎn)業(yè)可望在今年第二季出現(xiàn)觸底反彈的契機(jī)。

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