華中科技大學(xué)電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說(shuō)，下一代存儲(chǔ)器技術(shù)既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲(chǔ)器（PCM）。他預(yù)測(cè)，商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來(lái)，目前大量應(yīng)用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點(diǎn)后就到頂了，之后就將逐漸被PCM所取代。

　　FeRAM盡管已上市很多年了，但其應(yīng)用市場(chǎng)一直很有限，打不開(kāi)，這也從另一方面說(shuō)明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新（已上市2-3年），但應(yīng)用市場(chǎng)也有限，規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲(chǔ)器都有很多超越閃存的優(yōu)點(diǎn)，但其市場(chǎng)表現(xiàn)說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)這些新優(yōu)勢(shì)的需求不是那么迫切，閃存的低成本對(duì)市場(chǎng)更有吸引力。

　　MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量，由于位存儲(chǔ)是靠電流產(chǎn)生的磁性來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因此要實(shí)現(xiàn)大容量需要供給很大的電流，在越來(lái)越強(qiáng)調(diào)低功耗的今天，這一需求顯然是和市場(chǎng)大趨勢(shì)相違背的，因此MRAM不會(huì)成為下一代存儲(chǔ)器。

　　繆向水表示，目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開(kāi)發(fā)PCM，他們誰(shuí)也不敢掉以輕心，因?yàn)檎l(shuí)在這場(chǎng)競(jìng)賽中輸了，誰(shuí)就要丟失整整一代存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

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