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IR推適合CPU電源應用的30V
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http://www.mamogu.com 發(fā)稿日期:2008-5-30
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- 中研網(wǎng)訊：
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國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及內(nèi)存穩(wěn)壓器應用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設計而優(yōu)化的全新30VDirectFETMOSFET系列。
新器件系列結(jié)合IR最新的30VHEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進的DirectFET封裝技術(shù)，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻(RDS(on))非常低，同時把柵極電荷(Qg)和柵漏極電荷(Qgd)減至最少，并以極低的封裝電感減少了導通及開關(guān)損耗。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“憑借我們基準的功率MOSFET硅器件和DirectFET封裝，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整個負載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25A的操作，同時保持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積�！�
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on)特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。
IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設計更具靈活性。
新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(RoHS)，并已接受批量訂單
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