由于2010年初半導體業(yè)景氣急遽回暖，業(yè)者紛紛大開產(chǎn)能，但在2010年下半在歐洲債信危機、美國經(jīng)濟復蘇腳步遲緩等因素下，市場需求快速冷卻，象是惠普(HP)、戴爾(Dell)等個人計算機(PC)大廠在市場觀望氣氛濃厚的情況下都紛紛大砍訂單，DRAM9月價格與前幾個月相比遂也出現(xiàn)滑落20%以上的情況。半導體業(yè)者目前正面臨庫存水位不斷上升以及產(chǎn)業(yè)能見度不明情況。

    但即使如此，海力士為了減少和業(yè)界龍頭三星之間的差距，仍持續(xù)加碼投資設備、轉進先進制程。之前海力士已公布規(guī)模達3.38兆韓元(約29.7億美元)的制程轉進計畫，但上周海力士宣布金額規(guī)模將再加碼10%。海力士發(fā)言人ParkSeong-ae表示加碼金額將悉數(shù)用于增加30納米存儲器芯片的產(chǎn)能。

    海力士計劃于2011年1月起開始生產(chǎn)30納米芯片。但海力士對手三星卻領先一步，早在7月便開始生產(chǎn)35納米DRAM，就算是全球排名落后海力士1名的爾必達，也已計畫在12月起就開始進行30納米制程量產(chǎn)。

    Park表示海力士還是會及早投資，以免到時趕不上智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)等高階行動設備對芯片的需求。

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