MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD全名叫有機(jī)金屬化學(xué)氣象沉積設(shè)備，是在藍(lán)寶石設(shè)備上生長GaN的薄膜的專用設(shè)備，GaN材料是化合物半導(dǎo)體材料的一種，它是用來做LED(發(fā)光二極管)的主要材料。
MOCVD設(shè)備在LED芯片制造設(shè)備中，是最為關(guān)鍵的設(shè)備，其制造工藝復(fù)雜，技術(shù)含量高，價(jià)格昂貴，在LED芯片制造中成本占比最高，達(dá)到50%左右。MOCVD設(shè)備可用于氮化鎵基半導(dǎo)體材料、砷化鎵基半導(dǎo)體材料生長領(lǐng)域，由于氮化鎵基半導(dǎo)體材料應(yīng)用范圍更廣、需求量更大，氮化鎵基MOCVD設(shè)備在市場(chǎng)中處于主導(dǎo)地位，砷化鎵基MOCVD設(shè)備市場(chǎng)份額占比較小。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2021-2026年中國MOCVD設(shè)備行業(yè)深度調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)研究報(bào)告》分析
2015-2019年，全球MOCVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長率達(dá)到14.5%，呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢(shì)。中國LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模龐大，全球LED芯片產(chǎn)能逐步向中國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移，現(xiàn)階段中國是全球最大的LED芯片制造國，因此國內(nèi)MOCVD設(shè)備市場(chǎng)需求更為旺盛。
在全球范圍內(nèi)，MOCVD設(shè)備生產(chǎn)商主要有德國愛思強(qiáng)AIXTRON、美國維易科Veeco、中國中微公司等。其中，中微公司是我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中的領(lǐng)先企業(yè)，在我國MOCVD設(shè)備市場(chǎng)中份額占比最高，除中微公司外，我國MOCVD設(shè)備生產(chǎn)商還有中晟光電、廣東昭信等。
LED技術(shù)仍在不斷升級(jí)，MOCVD設(shè)備在LED芯片領(lǐng)域仍有增長空間，除此之外，MOCVD設(shè)備還可以應(yīng)用在功率器件生產(chǎn)領(lǐng)域，因此MOCVD設(shè)備未來市場(chǎng)前景依然良好，但為爭奪市場(chǎng)份額，生產(chǎn)商之間的競(jìng)爭將日益激烈。全球LED產(chǎn)能主要集中在中國、韓國、日本等國家中，中國LED產(chǎn)能占比不斷提高，并且在新興產(chǎn)品領(lǐng)域布局速度也在不斷加快，利好中微公司等本土MOCVD設(shè)備企業(yè)發(fā)展。
想要了解更多MOCVD設(shè)備行業(yè)的發(fā)展前景，請(qǐng)查閱《2021-2026年中國MOCVD設(shè)備行業(yè)深度調(diào)研與發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)研究報(bào)告》。
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