砷化鎵下游應用領域及行業(yè)市場競爭格局分析

• 吳澳燕 2024年3月30日 來源：互聯(lián)網 906 56
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砷化鎵(簡稱GaAs)是一種無機化合物，呈黑灰色固體，熔點為1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料，屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，具有閃鋅礦型晶格結構，晶格常數為5.65×10m，禁帶寬度為1.4電子伏。

鎵本身并不是半導體，但與砷、氮、硒、碲、磷、銻等金屬和非金屬形成的一系列鎵基化合物，均為優(yōu)質半導體材料，是研制微電子器件和光電子器件的重要材料，甚至可以說鎵引領著半導體材料的發(fā)展方向，是電子信息時代的領航員。

砷化鎵(簡稱GaAs)是一種無機化合物，呈黑灰色固體，熔點為1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料，屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，具有閃鋅礦型晶格結構，晶格常數為5.65×10m，禁帶寬度為1.4電子伏。

砷化鎵下游應用領域

砷化鎵在多個領域都有廣泛的應用。在微波領域，它被廣泛應用于無線通訊和雷達系統(tǒng)中的高頻器件，如高電勢場效應晶體管(HEMT)、低電壓電勢場效應晶體管(LEMT)、雙極型晶體管、互補型金屬氧化物半導體(CMOS)射頻前端集成電路等。

在光電子領域，砷化鎵是極好的光電轉換材料，用于制造高速半導體激光器、能量高效的太陽能電池、光探測器和光電開關等。

在通信領域，它在光纖通訊領域中有著廣泛的應用，如光接收器、光放大器和光調制器等器件。

此外，砷化鎵太陽能電池因其高的光電轉換效率和穩(wěn)定性，被視為下一代高效的太陽能電池材料。在微電子領域，砷化鎵被用于高速電路、閃存存儲器、功率晶體管、平面光陣列等器件中。

根據中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年砷化鎵產業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》顯示：

鎵的一系列化合物被廣泛應用于無線通信、化學工業(yè)、醫(yī)療設備、太陽能電池和航空航天等高科技領域，被稱為“半導體工業(yè)的新糧食”和“電子工業(yè)的脊梁”。因此，美國、日本等國家已將鎵列入“戰(zhàn)略資源”，歐盟也將其列入“關鍵原材料”目錄，我國也將鎵列為“戰(zhàn)略儲備金屬”。

得益于下游應用市場需求持續(xù)旺盛，砷化鎵襯底市場規(guī)模將持續(xù)擴大。根據 Yole 測算，2019 年全球折合 二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000 萬片，預計到 2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過 3,500 萬片。

GaAs襯底尺寸越大、指標越嚴，售價越高。在射頻及激光領域，需要器件具有高穩(wěn)定的性能 及良好的熱傳導性，所要求的GaAs襯底技術指標更高，因此其售價高于LED領域。同領域相 比，因6寸的襯底制備技術更為復雜，其售價在4寸的2倍左右。

砷化鎵行業(yè)市場競爭格局

全球砷化鎵襯底市場主要生產商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美。其他國產襯底廠商發(fā)展仍處于初級階段。北京美通GaAS襯底產品處于國際領先地位。公司以位錯密度低、平整度(總厚度波動值、翹曲度越低， 平整度越高，性能越好)高見長，其余產品技術參數與國際主要競爭對手產品相當，總體處于國際領先水平。

在半導體產業(yè)“逆全球化”趨勢下，且受益于新能源汽車、光伏、儲能等需求的帶動，我國第三代半導體產業(yè)保持高速增長。2022年，我國第三代半導體功率電子和微波射頻市場總規(guī)模達到194.2億元，較2021年增長34.5%。

氮化鎵適用于高溫高頻領域，能夠提供高頻率和寬帶寬，可滿足性能和小尺寸要求，氮化鎵射頻器件主要應用于基站、雷達、衛(wèi)星通信等領域。5G 通信對功率、頻率、傳輸速度提出了更高的要求，使用砷化鎵襯底制造的射頻器件非常適合應用于長距離、長通信時間的高頻電 路中，因此，在5G時代的射頻器件中，砷化鎵的材料優(yōu)勢更加顯著。根據預測，全球射頻氮化鎵器件市場規(guī)模將從2020年8.91億美元增長至2026年24億美元，期間年復合增長率達18%。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。報告準確把握行業(yè)未被滿足的市場需求和趨勢，有效規(guī)避行業(yè)投資風險，更有效率地鞏固或者拓展相應的戰(zhàn)略性目標市場，牢牢把握行業(yè)競爭的主動權。

更多行業(yè)詳情請點擊中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年砷化鎵產業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。

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