中國存儲芯片行業(yè)企業(yè)布局及競爭情況分析

• 馮少杰 2024年5月6日 來源：中研網(wǎng) 1049 67
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中國存儲芯片行業(yè)競爭格局分析

一、中國存儲芯片行業(yè)競爭現(xiàn)狀

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》顯示，雖然目前我國存儲芯片行業(yè)全球市場份額較低，但其發(fā)展迅速，目前技術(shù)水平已達到行業(yè)主流水準(zhǔn)。2016年以前，我國還不具有存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)能力，芯片需求完全依賴進口。2016-2018年，武漢新芯、合肥長鑫、長江存儲相繼成立。

2018-2020年，長江存儲攻克64層3DNAND技術(shù)并開始量產(chǎn)，打破了NAND Flash芯片的國際壟斷。2021年，兆易創(chuàng)新推出首款自有品牌DDR4產(chǎn)品，實現(xiàn)了從設(shè)計、流片，到封測、驗證的全國產(chǎn)化。

二、中國存儲芯片企業(yè)布局對比

存儲芯片有多種細分市場，以NAND Flash和DRAM存儲芯片為主。長江存儲作為我國NAND Flash龍頭企業(yè)，完成128層NAND Flash存儲芯片技術(shù)突破。Trend force數(shù)據(jù)顯示，三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發(fā)展并成為主流。

在2018年后，中國的長江儲存技術(shù)出現(xiàn)在世界視野中，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標(biāo)第三季進入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時出貨給模組廠。

三、中國存儲芯片企業(yè)競爭格局

中國存儲芯片廠商發(fā)展力強，成長空間較大。從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細分領(lǐng)域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術(shù)。

值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色?？偠灾袊鎯π酒袠I(yè)發(fā)展形勢較為樂觀，但還有一段漫長的路要走。

更多存儲芯片行業(yè)深度分析，請點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》。

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  2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告

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