存儲(chǔ)器芯片作為各類智能終端產(chǎn)品不可缺少的元器件，一直掌握在三星、SK海力士、美光等巨頭手里，是我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板之一。近年來，在我國大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景下，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片國產(chǎn)化已是大勢(shì)所趨。

?　　半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NANDFlash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
　　大力發(fā)展存儲(chǔ)器不僅是市場(chǎng)需求，同時(shí)也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。存儲(chǔ)器國產(chǎn)化是芯片產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化邁出的重要一步，是中國政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到國家政策的扶持，近期從國家層面到地方層面的政策及資本投資都是持續(xù)不斷的。
　　實(shí)現(xiàn)“零”突破
　　2016年年底，總投資240億美元的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢光谷開工。該項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)未來科技城，將建設(shè)3座3DNANDFlashFAB廠房。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)；2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片／月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
　　據(jù)悉，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體。項(xiàng)目建成后，以此為龍頭將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，將為中國打破主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)跨越發(fā)展提供重要支撐。
　　紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲(chǔ)董事長趙偉國接受采訪時(shí)表示，國家存儲(chǔ)器基地動(dòng)工建設(shè)，標(biāo)志著中國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破，這是“國家戰(zhàn)略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運(yùn)作”新模式的成功探索。未來，這里將建起“航母級(jí)芯片工廠”。
　　機(jī)遇與挑戰(zhàn)
　　三大挑戰(zhàn)
　　存儲(chǔ)器進(jìn)入壁壘高：傳統(tǒng)的DRAM，NANDFlash，NORFlash已經(jīng)是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，而且資金、技術(shù)門檻極高，三、四家龍頭公司霸占了全球90%以上的市場(chǎng)，這樣的市場(chǎng)進(jìn)入壁壘極高。
　　存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)步快，追趕壓力大：存儲(chǔ)器技術(shù)按照摩爾定律發(fā)展，每1~2年技術(shù)進(jìn)步一代，三星、美光等領(lǐng)頭羊的量產(chǎn)技術(shù)不斷進(jìn)步，大陸在技術(shù)、人才非常落后的情況下追趕的難度可想而知。
　　海外技術(shù)封鎖：半導(dǎo)體技術(shù)是信息技術(shù)的核心，是美日等國對(duì)中國大陸技術(shù)封鎖的主要領(lǐng)域，大陸企業(yè)在需求海外收購和技術(shù)合作方面存在困難。紫光集團(tuán)通過收購美光等海外企業(yè)或與海外企業(yè)合作開發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的努力迄今未取得很大的進(jìn)展(不排除后續(xù)取得較大突破的可能性)。
　　三大機(jī)遇
　　發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)定決心：無論是從信息安全，還是芯片國產(chǎn)化的角度，大力發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為共識(shí)。
　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)迎來變革，提供彎道超車機(jī)會(huì)：傳統(tǒng)2D結(jié)構(gòu)的DRAM和Flash技術(shù)在成本、性能等方面存在不足。3DNAND已經(jīng)量產(chǎn)，3DDRAM、PCM，3DXPoint，RRAM，MRAM等各類新存儲(chǔ)器技術(shù)日益成熟，有望取代傳統(tǒng)DRAM和Flash成為主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
　　新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的差距小，有望打破行業(yè)壟斷局面：最近10多年來，大陸的高校、研究所、企業(yè)等機(jī)構(gòu)在PCRAM、RRAM、3DNAND等新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域不斷取得進(jìn)步，與全球頂尖機(jī)構(gòu)的差距較小，有望成為彎道超車的突破口。
　　國產(chǎn)存儲(chǔ)器要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)還需時(shí)日，但是當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)政策支持和各地產(chǎn)學(xué)研的不斷努力，在DRAM和NANDFlash領(lǐng)域周期調(diào)整之際是我們加入的好時(shí)機(jī)，加之現(xiàn)在互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展和云端技術(shù)的不斷成熟，假以時(shí)日，我國的存儲(chǔ)器也會(huì)在國際上有一席之地。