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英特爾再曝8個芯片漏洞是什么情況?電腦芯片工作原理是什么?

  • 2018年5月22日 YangJinZhu來源:前瞻網(wǎng) 1044 66
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微軟和谷歌網(wǎng)絡安全研究員發(fā)現(xiàn)了新的芯片漏洞,該漏洞與今年1月出現(xiàn)的Spectre和Meltdown漏洞有關(guān),對許多現(xiàn)代計算芯片造成影響。

英特爾

微軟和谷歌網(wǎng)絡安全研究員發(fā)現(xiàn)了新的芯片漏洞,該漏洞與今年1月出現(xiàn)的Spectre和Meltdown漏洞有關(guān),對許多現(xiàn)代計算芯片造成影響。

最新的芯片漏洞名為Speculative Store Bypass或“變種4”,因為它與此前發(fā)現(xiàn)的漏洞屬于同一家族。周一,微軟和谷歌研究人員公布了他們的這一發(fā)現(xiàn)。盡管最新漏洞影響了許多芯片廠商,包括英特爾、AMD和微軟旗下的ARM,但研究人員表示新漏洞的風險較低,部分原因是相關(guān)公司已在今年早些時候發(fā)布補丁解決Spectre漏洞。

Meltdown和Spectre漏洞出現(xiàn)在今年1月份,可允許讀取芯片上的密碼和其他敏感數(shù)據(jù)。這一缺陷源于計算機試圖猜測用戶的下一步活動,這一程序被稱為“推測執(zhí)行”。

當漏洞在今年初曝光后,研究人員表示他們未來很可能會發(fā)現(xiàn)新的Spectre變體。本月早些時候,一家德國計算機科學雜志報道稱,研究人員已經(jīng)在英特爾芯片中發(fā)現(xiàn)“下一代”漏洞,并很可能在本月披露。英特爾拒絕評論周一的發(fā)現(xiàn)是否與德國雜志報道的漏洞有關(guān)。

微軟在其研究結(jié)果中表示,今年早些時候發(fā)布的補丁大大增加了黑客利用新漏洞進行攻擊的難度。

英特爾在一篇博客中表示,該公司將“變種4”漏洞標記為中級風險,因為與該漏洞有關(guān)的多個缺陷已經(jīng)通過安全補丁解決。英特爾稱,它尚未發(fā)現(xiàn)有黑客利用新漏洞發(fā)動攻擊,并表示將在未來幾周內(nèi)發(fā)布修補此漏洞的安全補丁。

英特爾還表示,由于受攻擊的風險較低,它將在默認情況下關(guān)閉補丁,讓用戶選擇是否打開它們。

安全問題似乎并沒有影響相關(guān)芯片廠商的股價。今年以來,英特爾股價上漲了近16%,AMD股價則上漲了18.3%。

電腦芯片是什么?

電腦芯片其實是個電子零件 在一個電腦芯片中包含了千千萬萬的電阻 電容以及其他小的元件。電腦上有很多的芯片,內(nèi)存條上一塊一塊的黑色長條是芯片,主板、硬盤、顯卡等上都有很多的芯片,CPU也是塊電腦芯片,只不過他比普通的電腦芯片更加的復雜更加的精密 。

芯片的工作原理:


芯片的襯底材料是具有 n-或 p-型的輕摻雜質(zhì)單晶硅層。它起兩個作用,一是作為在其上面和內(nèi)部制造集成電路的物理介質(zhì),另一作用是作為電路本身的一部分,構(gòu)成芯片核心的半導體電路和微型晶體管通過沉積或刻蝕直接構(gòu)建在單晶硅表面上。

芯片的工作速度與芯片內(nèi)電路之間信號傳送路程的長短有關(guān),路程越短速度越快,反之則越慢。芯片的工作時間單位是以納秒計量的。

芯片中的電路越緊密地擠在一起,芯片的工作速度越快,而且由于更多的電路被設(shè)計在同樣面積的硅片上,芯片的功能更強。實際中芯片所做的工作都是由晶體管完成的。芯片的代碼用兩種信號表示,即電壓信號代碼。它包括兩種狀態(tài),被分別稱為高電平和低電平狀態(tài),也可以用數(shù)字表示這兩種信號,即用“1”表示高電壓信號,用“0”表示低電壓信號(“1”和“0”在二進制代碼中叫做“位”(bit, binary digits 的縮寫))。這兩種狀態(tài)分別用 VIH 和 HIL 兩個電壓域值表示,且 VIH>HIL。VIH 被稱為高邏輯閥,HIL 被稱為低邏輯閥。如果某節(jié)點電壓 V 滿足不等式 V> HIL ,則認為該節(jié)點處于高狀態(tài),而如果V

芯片電路中由于晶體管的導通與斷開而產(chǎn)生的一串電信號,也叫做信號流。信號流可以用來表示數(shù)字、字母和其它各種信息的代碼?

制造編輯要在大約 5 平方毫米的薄硅片上制作數(shù)百個電路,需要非常精密的生產(chǎn)技術(shù)。芯片上的元件是用微米測量的,定位時的精密度為 1-2 毫米。芯片是在超凈化的工廠內(nèi),使用由具有專門技術(shù)的計算機控制的機器制造的。在制造過程中需要用高倍顯微鏡對芯片進行觀察。

制造芯片時,將元件和電路連線置于硅片的表面和內(nèi)部,形成 9-10 個不同的層次。在真空中生成圓柱形的純硅晶體,然后將其切成 0.5 毫米厚的圓片,將圓片的表面磨得極其光滑。利用存儲在電子計算機存儲器里的電路設(shè)計程序,為芯片的各層制造一組“光掩?!?,這種掩模是正方形的玻璃。用照相處理的辦法或電子流平板印刷技術(shù)將每一層的電路圖形印在每一塊玻璃掩模式上,因而玻璃僅有部分透光。當上述圓片被徹底清洗干凈后,再放入灼熱的氧化爐內(nèi),使其表面生成二氧化硅薄絕緣層。然后再涂上一層軟的易感光的塑料(稱為光刻膠或光致抗蝕劑)。將掩模放在圓片的上方,使紫外線照射在圓片上,使沒有掩模保護的光刻膠變硬。用酸腐蝕掉沒有曝光部分的光刻膠及其下面的二氧化硅薄層,裸露的硅區(qū)部分再做進一步處理。

用離子植入法將摻雜物摻入硅中構(gòu)成元件的 n 型和 p 型部分,在硅片上形成元件。此時硅片上部是鋁連接層,兩層連接層之間被二氧化硅絕緣層隔開。鋁連接層由蒸發(fā)工藝生成,有掩模確定它的走線。

當整個制造過程完成以后,使用電探針對每一個芯片進行檢驗。將不合格的產(chǎn)品淘汰,其它產(chǎn)品進行封裝后在不同溫度及環(huán)境條件下的檢驗,最終成為出廠的芯片。


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