經(jīng)過近10年的發(fā)展,我國基本建立了以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料、工藝和裝備產(chǎn)業(yè)體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、 5G等熱點應(yīng)用,在未來5年內(nèi)將迎來產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的重要機遇。
二十一世紀以來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制,更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件,在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。目前,市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《2020-2025年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報告》分析
經(jīng)過近10年的發(fā)展,我國基本建立了以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料、工藝和裝備產(chǎn)業(yè)體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、 5G等熱點應(yīng)用,在未來5年內(nèi)將迎來產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的重要機遇。
盡管全國已布局第三代半導(dǎo)體項目眾多,但由于產(chǎn)線建設(shè)調(diào)試周期較長、項目爛尾等問題,真正量產(chǎn)的并不多;加之下游應(yīng)用市場增長,國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求,尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口,且國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品成本、性能等方面競爭力不足,因此,我國第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低,有數(shù)據(jù)顯示,目前超過八成的產(chǎn)品依賴進口。
第三代半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀 第三代半導(dǎo)體行業(yè)研究報告
近年來,在國家及地方政府層面,多次出臺行業(yè)扶持政策,重點發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子”問題。在火熱的市場環(huán)境下,各地政府也積極參與到三代半導(dǎo)體項目的投資建設(shè)當中。
因三代半導(dǎo)體投資規(guī)模相對較低,產(chǎn)業(yè)鏈上游的材料及生產(chǎn)環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市,而是全國遍地開花。數(shù)據(jù)顯示,2018-2020年,我國僅SiC項目政府投資達到32個,計劃投資金額超過700億。
先進半導(dǎo)體材料是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的戰(zhàn)略高地。目前正在快速發(fā)展的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等,主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應(yīng)用,在新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子、新一代顯示等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的戰(zhàn)略高地。
在5G信息技術(shù)時代,第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機遇,新基建的實施助推第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入黃金窗口期,呈現(xiàn)一派發(fā)展好勢頭,有望逐步實現(xiàn)自主可控、安全可靠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系,與第一代、第二代半導(dǎo)體優(yōu)勢互補、協(xié)同支撐新一代信息技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展,支撐中國新時期社會經(jīng)濟的高質(zhì)量發(fā)展。
想要了解更多第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景,請查閱《2020-2025年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報告》。
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