我國存儲器市場主要集中在DARM和NAND Flash領域。在存儲器細分市場，光存儲和磁存儲逐漸往企業(yè)級市場方向發(fā)展，其中光存儲目前在企業(yè)級市場應用快速發(fā)展，很大程度地拉動了整個存儲器市場的發(fā)展。
我國存儲器市場主要集中在DARM和NAND Flash領域。在存儲器細分市場，光存儲和磁存儲逐漸往企業(yè)級市場方向發(fā)展，其中光存儲目前在企業(yè)級市場應用快速發(fā)展，很大程度地拉動了整個存儲器市場的發(fā)展。2020年中國存儲器行業(yè)市場規(guī)模為3223億元，同比增漲11.87%。
產業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區(qū)域來看，中國是全球第二大DRAM消費市場，僅次于美國，市場前景較好。
由于中國擁有龐大內需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費市場。中國集成電路產業(yè)是獲得中國政府大力支持的一個戰(zhàn)略性產業(yè)，歷年集成電路設計公司規(guī)模持續(xù)增長及設計能力顯著提升。盡管中國集成電路設計公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。
存儲器作為我國集成電路產業(yè)中占比最大的領域之一，勢必會在我國信息產業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)等領域的布局，集成電路相關政策的發(fā)布，更是為存儲器產業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎。
據(jù)中研產業(yè)研究院報告《2022-2027年中國存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風險研究報告》分析
從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數(shù)據(jù)存儲領域都面臨“卡脖子”問題，亟須構筑存儲領域發(fā)展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當前全球光存儲技術及產業(yè)尚未進入成熟期，我國領軍企業(yè)與研發(fā)機構有望與國際領先水平同步創(chuàng)新，甚至引領產業(yè)技術發(fā)展方向。
從技術路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。
我國集成電路行業(yè)發(fā)展較晚，除封測技術外，芯片設計和芯片制造行業(yè)整體水平與世界領先水平有著明顯的差距。存儲器方面，中國與國際領先水平差距較大，存在著技術落后、自給率低的情況。截止目前，中國半導體存儲器市場國產化率較低。
隨著部分國家近年來對我國集成電路產業(yè)發(fā)展的限制，集成電路產業(yè)國產化已成為必然的趨勢。同時，存儲芯片處于集成電路產業(yè)核心地位，也是國家政策與資金扶持的重點領域，存儲器領域具有自主可控能力，能夠更好保證國防及信息安全。國內存儲芯片下游應用廠商出于安全性和可持續(xù)性等因素的考慮，開始加大采購國產半導體存儲芯片力度，對國內半導體存儲芯片企業(yè)的良性發(fā)展提供了更多的機會。受國內產業(yè)鏈逐步完善發(fā)展、國家產業(yè)政策支持、國內集成電路終端需求推動國產化等多方面影響，未來國產替代有望逐步發(fā)展，高端芯片自給率有望得到提升，并將為我國集成電路設計產業(yè)帶來長期的發(fā)展機遇。
想要了解更多存儲器行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2022-2027年中國存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風險研究報告》。
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2022-2027年中國存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢及投資風險研究報告
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