2023年碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素深度分析及制造技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

• 李基錦 2023年12月13日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1043 66
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碳化硅(SiC)晶圓是一種高級(jí)半導(dǎo)體材料的基板，通常用于制造功率電子器件和高溫、高頻電子器件。它由碳和硅元素組成，具有出色的電子性能和熱性能。碳化硅晶圓是一種基礎(chǔ)材料，上面可以生長(zhǎng)單晶碳化硅薄片，用于制造各種電子器件，如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS

碳化硅(SiC)晶圓是一種高級(jí)半導(dǎo)體材料的基板，通常用于制造功率電子器件和高溫、高頻電子器件。它由碳和硅元素組成，具有出色的電子性能和熱性能。碳化硅晶圓是一種基礎(chǔ)材料，上面可以生長(zhǎng)單晶碳化硅薄片，用于制造各種電子器件，如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、肖特基二極管、光電二極管等。

由于碳化硅的材料特性，它具有較高的電子遷移率、熱導(dǎo)率和抗輻射性，因此在高溫、高電壓、高頻和高輻射環(huán)境下表現(xiàn)出色，使其在電力電子、無線通信、航空航天等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。碳化硅晶圓的制備通常涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)等工藝，以生長(zhǎng)單晶碳化硅薄片，然后進(jìn)行切割和研磨，以獲得所需尺寸和表面質(zhì)量的晶圓。

碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)品細(xì)分研究及下游應(yīng)用分析

碳化硅(SiC)晶圓主要被細(xì)分為4英寸、6英寸和8英寸。其中，6英寸晶圓占據(jù)最大市場(chǎng)份額。從下游應(yīng)用層面分析，碳化硅(SiC)晶圓主要被應(yīng)用于功率器件細(xì)分市場(chǎng)、電子與光電子產(chǎn)品、無線基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素深度分析

碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)的增長(zhǎng)受到多個(gè)關(guān)鍵因素的影響，深度分析這些因素對(duì)市場(chǎng)的影響至關(guān)重要。以下是一些主要的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素：

高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求：碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色，因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，如電力電子、電動(dòng)汽車、無線通信和軍事領(lǐng)域。需求的增長(zhǎng)推動(dòng)了碳化硅晶圓市場(chǎng)的擴(kuò)張。

節(jié)能和環(huán)保：碳化硅材料的高效能性和低功耗特性使其在節(jié)能和環(huán)保領(lǐng)域中備受歡迎。電動(dòng)汽車、太陽能逆變器和其他能源轉(zhuǎn)換設(shè)備的需求推動(dòng)了碳化硅晶圓的市場(chǎng)增長(zhǎng)，因?yàn)樗兄跍p少能源浪費(fèi)。

半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展：半導(dǎo)體工業(yè)一直在不斷發(fā)展，碳化硅材料的獨(dú)特性能使其在新一代半導(dǎo)體器件中備受歡迎。這包括SiC功率器件、光電子器件和射頻(RF)器件等。這種發(fā)展驅(qū)動(dòng)了碳化硅晶圓的需求。

抗輻射性和高溫穩(wěn)定性：碳化硅在高輻射環(huán)境中具有卓越的性能，因此在核能和航天應(yīng)用中廣泛使用。此外，其在高溫穩(wěn)定性方面的性能也使其在極端條件下的應(yīng)用增多。

電力電子應(yīng)用：碳化硅在電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色，可用于高壓和高溫環(huán)境下的功率電子器件。隨著可再生能源的普及和電力轉(zhuǎn)型的推進(jìn)，碳化硅晶圓在電力電子市場(chǎng)中的需求不斷增加。

全球碳化硅(SiC)晶圓主要制造商

全球碳化硅(SiC)晶圓主要制造商包括Wolfspeed、ROHM Group (SiCrystal)、SK Siltron、Resonac、Coherent、北京天科合達(dá)、STMicroelectronics、SICC、河北同光、CETC、三安光電等。全球碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)非常集中，其中全球top5制造商超過78%市場(chǎng)份額。

全球碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)規(guī)模

2023年全球碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)銷售額將達(dá)到8.55億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到21.89億美元，2023-2030年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為14.37%。從地區(qū)層面分析，北美是最大的消費(fèi)市場(chǎng)，2023年占全球市場(chǎng)份額43.17%。2023年北美碳化硅(SiC)晶圓市場(chǎng)銷售額將達(dá)到3.24億美元，預(yù)計(jì)2030年將達(dá)到8.07億美元，2023-2030年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為13.92%。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年全球與中國(guó)碳化硅晶圓行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研及發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》分析

碳化硅(SiC)晶圓未來制造技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

未來SiC晶圓制造技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)將朝著高質(zhì)量、低成本、可持續(xù)性和多功能化的方向發(fā)展，以滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。這些趨勢(shì)將有助于促進(jìn)SiC晶圓的廣泛應(yīng)用，并推動(dòng)電子設(shè)備在高溫、高頻、高功率和高效能性方面的發(fā)展。

SiC材料質(zhì)量提升：未來制造SiC晶圓的趨勢(shì)之一是不斷提升SiC材料的質(zhì)量。這包括減小晶格缺陷和提高晶體質(zhì)量，以增加材料的可靠性和性能。通過精益的生長(zhǎng)和處理技術(shù)，SiC晶圓的晶格缺陷可以降低，提高電子性能和可靠性。

大規(guī)模生產(chǎn)和降低成本：未來SiC晶圓制造將更加注重大規(guī)模生產(chǎn)和成本降低。這包括改進(jìn)生長(zhǎng)技術(shù)，如化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)，以提高產(chǎn)能和降低生產(chǎn)成本。此外，采用智能化和自動(dòng)化生產(chǎn)流程有望進(jìn)一步提高效率。

新型晶圓尺寸和結(jié)構(gòu)：未來SiC晶圓的尺寸和結(jié)構(gòu)可能會(huì)有所改變，以滿足不同應(yīng)用的需求。這可能包括更大直徑的晶圓、異質(zhì)結(jié)構(gòu)或多層晶圓，以提供更多的設(shè)計(jì)靈活性和性能選擇。

前瞻性制備技術(shù)：新的前瞻性制備技術(shù)，如電子束光刻、離子注入和氫退火等，有望改善SiC晶圓的加工和性能。這些技術(shù)可以用于微納加工和制備特殊結(jié)構(gòu)，從而拓寬應(yīng)用領(lǐng)域。

能源效率和綠色制造：未來SiC晶圓的制造將更強(qiáng)調(diào)能源效率和綠色制造。采用可再生能源供電的工廠、綠色材料、廢物回收和低碳排放生產(chǎn)過程將成為制造業(yè)的趨勢(shì)。

整合多功能性：SiC晶圓的制造未來可能更加多功能化，將多種不同類型的器件集成到同一塊晶圓上，提供更高的系統(tǒng)集成度，減小電子設(shè)備的尺寸和重量。

應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展：隨著SiC晶圓制造技術(shù)的不斷改進(jìn)，預(yù)計(jì)它將應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域，包括汽車、航空航天、電力電子、通信和醫(yī)療設(shè)備等，因此對(duì)不同應(yīng)用的需求將推動(dòng)技術(shù)的發(fā)展。

了解更多本行業(yè)研究分析詳見中研普華產(chǎn)業(yè)研究院《2023-2028年全球與中國(guó)碳化硅晶圓行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研及發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》。同時(shí), 中研普華產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、IPO募投可研、IPO業(yè)務(wù)與技術(shù)撰寫、IPO工作底稿咨詢等解決方案。

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