存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析與新興技術：2024年AI+存儲器的迭代變革

• 吳亞楠 2024年2月8日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1399 92
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我國是全球最主要的存儲芯片消費市場之一，大陸存儲芯片市場已連續(xù)多年占據(jù)全球存儲芯片市場份額的50%以上。隨著電子制造領域水平的不斷提升，5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興應用領域的不斷涌現(xiàn)，催生了存儲芯片市場的巨大需求，近年來市場規(guī)?？傮w也保持較快增長

存儲器行業(yè)作為信息技術領域的核心組成部分，存儲器行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈包括芯片設計、制造、封裝測試等多個環(huán)節(jié)。隨著技術的不斷進步和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，存儲器行業(yè)的供應鏈效率得到提升，生產(chǎn)成本降低，同時也為行業(yè)的快速發(fā)展提供了有力支持。

全球數(shù)字化、信息化的加速推進，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)出爆炸式增長，對存儲容量的需求也在持續(xù)上升。因此，全球存儲器市場規(guī)模不斷擴大，成為信息技術產(chǎn)業(yè)的重要增長點。

存儲器行業(yè)的技術創(chuàng)新非常迅速，新型存儲器技術不斷涌現(xiàn)。例如，閃存技術已經(jīng)成為主流存儲技術之一，而三維閃存、存儲類內(nèi)存等新技術也在不斷研發(fā)和應用中。這些技術創(chuàng)新推動了存儲器行業(yè)的快速發(fā)展。

2024年AI+存儲器的迭代變革

調(diào)研機構Gartner就預計，2024年全球半導體行業(yè)收入將增長16.8%至6240億美元，存儲器市場將實現(xiàn)66.3%成長性是其中主要驅(qū)動，其中NAND閃存部分預計收入同比增長49.6%至530億美元，DRAM運存部分預計增長88%至874億美元。

AI大模型加速發(fā)展背后，迫切需要的是優(yōu)質(zhì)數(shù)據(jù)和計算能力支撐。根據(jù)相關機構測算，中國人工智能產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模的年復合增長率已達25.6%，可以說充滿生機和活力。中國政府從2017年開始，從國家政策層面先后推出了12項促進人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大舉措，足見重視。

根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2024-2029年存儲器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》顯示：

存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析與新興技術

存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領域的布局，集成電路相關政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎。

存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈結構較為清晰，上游由印刷電路集成、無線射頻零件、電容器、電阻器、芯片、數(shù)字集成電路等組成;產(chǎn)業(yè)鏈中游為存儲器生產(chǎn)商，國內(nèi)主要生產(chǎn)商為浪潮信息、中科曙光、愛數(shù)、華為等優(yōu)質(zhì)企業(yè);產(chǎn)業(yè)鏈下游為存儲器的引用領域，主要為家用電器、醫(yī)療設備產(chǎn)品、日用電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡服務設備、媒介儲存裝置、計算機附件等領域。

我國是全球最主要的存儲芯片消費市場之一，大陸存儲芯片市場已連續(xù)多年占據(jù)全球存儲芯片市場份額的50%以上。隨著電子制造領域水平的不斷提升，5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興應用領域的不斷涌現(xiàn)，催生了存儲芯片市場的巨大需求，近年來市場規(guī)?？傮w也保持較快增長。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，中國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈下游主要應用為手機、其占比為44.75%，占據(jù)了近半數(shù)的市場份額，其次為電腦領域，占比為13.13%，服務器占比12.35%，消費電子占比8.52%，顯卡占比7.25%，其他領域占比14%。

存儲廠商盈利能力揭示當前存儲行業(yè)處于周期底部位置。在全球存儲芯片市場中，三星電子、SK 海力士、美光科技占據(jù)了主要份額。2022年第四季度，三者在全球 DRAM 市場合計占據(jù) 95.8%的份額，在全球 NAND 市場合計占有 62.2%的份額。

當前階段，更重要的是產(chǎn)業(yè)鏈之間積極協(xié)同，以助推算力產(chǎn)業(yè)鏈共同發(fā)展，進而驅(qū)動AI大模型真正落地。數(shù)據(jù)存儲技術的不斷演進，使得智能數(shù)據(jù)管理的性能及效率日益攀升。某種意義上，數(shù)據(jù)即為算法。

2023年是數(shù)據(jù)要素化元年，數(shù)據(jù)要素概念股成為資本市場追逐的熱點。但陸續(xù)披露的年報業(yè)績預告顯示，部分數(shù)據(jù)要素概念股業(yè)績并不盡如人意。其中，數(shù)據(jù)要素核心概念股易華錄預計2023年歸母凈利潤虧損最高達19.1億元，較上年同期出現(xiàn)大幅下滑。

Wind數(shù)據(jù)顯示，易華錄2021年、2022年歸母凈利潤分別為-1.67億元、0.12億元，扣非凈利潤分別虧損2.75億元、1.54億元。

存儲器行業(yè)的市場需求將繼續(xù)保持增長態(tài)勢。存儲器行業(yè)將繼續(xù)迎來技術創(chuàng)新的高峰期。新型存儲器技術將不斷涌現(xiàn)，推動存儲器行業(yè)向更高速度、更大容量、更低成本的方向發(fā)展。同時，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的發(fā)展，存儲器行業(yè)也將迎來新的應用場景和市場需求。

未來，存儲器行業(yè)將更加注重環(huán)保材料的應用、節(jié)能減排等方面的工作，推動行業(yè)的綠色發(fā)展。綜上所述，存儲器行業(yè)在技術創(chuàng)新、市場需求等方面具有明顯優(yōu)勢，未來發(fā)展前景廣闊。

存儲器行業(yè)新興技術介紹

磁阻隨機存儲器(MRAM)：這是一種非易失性存儲器，利用磁性材料的磁阻效應進行數(shù)據(jù)存儲。MRAM具有高速讀寫、高可靠性、低功耗等優(yōu)點，被認為是一種具有前景的下一代存儲器技術。

相變存儲器(PCM)：PCM利用材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間轉(zhuǎn)變時電阻率發(fā)生變化的特性進行數(shù)據(jù)存儲。這種技術具有高密度、高速、非易失性等優(yōu)點，有望取代傳統(tǒng)的閃存技術。

鐵電隨機存儲器(FeRAM/FRAM)：FeRAM利用鐵電材料的極化特性進行數(shù)據(jù)存儲，具有非易失性、高速、低功耗等優(yōu)點。這種技術在某些領域已經(jīng)開始得到應用。

電阻式隨機存儲器(ReRAM/RRAM)：ReRAM利用阻變材料的電阻變化特性進行數(shù)據(jù)存儲，具有簡單的器件結構、高集成度、低功耗等優(yōu)點。這種技術被認為是下一代非易失性存儲器的有力競爭者。

此外，還有一些其他的新興存儲器技術，如基于DNA的存儲技術、基于量子點的存儲技術等，這些技術目前還在研究和發(fā)展階段，但有望在未來對存儲器行業(yè)產(chǎn)生重大影響。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網(wǎng)撰寫的存儲器行業(yè)報告對中國存儲器行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領導層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù)，同時對政府部門也具有極大的參考價值。

想了解關于更多存儲器行業(yè)專業(yè)分析，可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2024-2029年存儲器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。同時本報告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風險和機遇。

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