存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),行業(yè)將受益于技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)產(chǎn)替代、供需關(guān)系改善和政策扶持等因素,未來發(fā)展前景廣闊。
市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng):據(jù)預(yù)測(cè),2024年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將恢復(fù)增長(zhǎng)至約5513億元,較2023年有所增長(zhǎng)。
技術(shù)驅(qū)動(dòng)需求:人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展,尤其是AI服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求大幅增長(zhǎng),為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)帶來新的增長(zhǎng)點(diǎn)。
應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展:智能手機(jī)、服務(wù)器、PC等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)芯片的需求持續(xù)增長(zhǎng),邊緣計(jì)算技術(shù)的興起也促進(jìn)了存儲(chǔ)芯片的需求。
技術(shù)創(chuàng)新:DRAM和NAND Flash作為主流存儲(chǔ)技術(shù),將持續(xù)向高傳輸速率、低功耗、高密度存儲(chǔ)和3D堆疊等方向發(fā)展。
國(guó)產(chǎn)替代:國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的支持和高端人才的聚集,為我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)積累了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù),國(guó)產(chǎn)替代的加速推進(jìn)將帶動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)。
供需關(guān)系改善:各大存儲(chǔ)芯片廠商紛紛減少產(chǎn)能,促使存儲(chǔ)周期提前,隨著存儲(chǔ)需求的不斷擴(kuò)大,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格將會(huì)上升,供需關(guān)系逐步改善。
政策扶持:國(guó)家持續(xù)出臺(tái)多項(xiàng)扶持政策,通過財(cái)稅優(yōu)惠、研發(fā)項(xiàng)目支持等手段,全方位推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》分析
存儲(chǔ)芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用,通過在單一芯片中嵌入軟件,實(shí)現(xiàn)多功能和高性能,支持多種協(xié)議、硬件和應(yīng)用。它主要用于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和訪問,是企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分。
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素分析
技術(shù)進(jìn)步:ASIC和FPGA等技術(shù)的應(yīng)用,使得存儲(chǔ)芯片在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)上更加靈活和高效,滿足了市場(chǎng)對(duì)高性能、低功耗存儲(chǔ)解決方案的需求。
市場(chǎng)需求增長(zhǎng):隨著消費(fèi)電子、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增長(zhǎng),推動(dòng)了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的擴(kuò)大。
國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì):國(guó)家政策支持、集成電路產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移以及國(guó)內(nèi)廠商競(jìng)爭(zhēng)力加強(qiáng),推動(dòng)了存儲(chǔ)芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程,為國(guó)內(nèi)廠商提供了更多市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
數(shù)據(jù)安全需求:隨著網(wǎng)絡(luò)攻擊和數(shù)據(jù)泄露事件的增多,企業(yè)和個(gè)人對(duì)數(shù)據(jù)安全的需求不斷提升,安全存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)得到了快速發(fā)展。
技術(shù)進(jìn)步、市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)和數(shù)據(jù)安全需求是推動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)發(fā)展的主要因素。
存儲(chǔ)芯片主要細(xì)分市場(chǎng)及行業(yè)未來發(fā)展投資前景趨勢(shì)
DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng):
DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,特征為讀寫速度快、延遲低,但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。
DRAM是存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模最大的芯片,根據(jù)Trend Force數(shù)據(jù),2022年DRAM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1055億美元。
目前DRAM晶圓的市場(chǎng)供應(yīng)主要集中在三星、SK海力士和美光,三大廠商市場(chǎng)占有率合計(jì)超過95%。
NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng):
NAND Flash具有寫入速度快和價(jià)格較低等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于USB硬盤、手機(jī)儲(chǔ)存空間以及固態(tài)硬盤(SSD)等。
NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模也頗為可觀,據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì),2020年市場(chǎng)規(guī)模為534.1億美元。
其他細(xì)分市場(chǎng):
除了DRAM和NAND Flash外,存儲(chǔ)芯片還包括SRAM、NOR Flash等其他細(xì)分市場(chǎng),但規(guī)模相對(duì)較小。
市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng):
隨著新一輪人工智能浪潮的爆發(fā)以及國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子市場(chǎng)的快速發(fā)展,預(yù)計(jì)我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)。
2024年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)44.8%至1297.7億美元。
技術(shù)迭代與創(chuàng)新:
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商正努力提升技術(shù)水平,以打破國(guó)外廠商的市場(chǎng)壟斷。
隨著存儲(chǔ)技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型存儲(chǔ)芯片如HBM等有望在未來獲得更廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)業(yè)鏈整合與國(guó)產(chǎn)化:
為提高生產(chǎn)效率和降低成本,存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)正加強(qiáng)合作與整合。
國(guó)家政策也在積極支持存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)的突破和市場(chǎng)份額的提升。
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)具有廣闊的發(fā)展前景和投資潛力,但也需要關(guān)注技術(shù)迭代、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和產(chǎn)業(yè)鏈整合等挑戰(zhàn)。
更多關(guān)于存儲(chǔ)芯片行業(yè)的市場(chǎng)數(shù)據(jù)研究分析及未來投資前景規(guī)劃,可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》。行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手,分析存儲(chǔ)芯片未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì),挖掘存儲(chǔ)芯片行業(yè)的市場(chǎng)潛力,基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究,提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪,清晰發(fā)展方向。
在形式上,存儲(chǔ)芯片報(bào)告以豐富的數(shù)據(jù)和圖表為主,突出文章的可讀性和可視性,避免套話和空話。報(bào)告附加了與行業(yè)相關(guān)的數(shù)據(jù)、存儲(chǔ)芯片政策法規(guī)目錄、主要企業(yè)信息及存儲(chǔ)芯片行業(yè)的大事記等,為投資者和業(yè)界人士提供了一幅生動(dòng)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)全景圖。