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紫光計劃自主研發(fā)DDR4內存 預計明年上市

  • 2017年12月28日 ZhouXun來源:威鋒網 376 17
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按照計劃,該產品將會在明年逐步推向市場,這也意味著國內首條自主研發(fā)DDR4內存確認將會在明年問世。其實早在今年3月份,紫光國芯的DDR4和LPDDR4內存就已經通過了科技成果評價。

紫光計劃自主研發(fā)DDR4內存 預計明年上市

最近,一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO的內存條出現在了網絡上,有人稱這就是紫光自主研發(fā)的DDR4內存。一開始大家還不太相信圖片的真實性,因為貼紙上出現了PC3-12800U的字樣,對應的其實是DDR3 1600內存。但是今天紫光官方竟然主動承認了,他們表示這雖然不是真的,但是紫光確實有相關的計劃。

昨天上午,紫光國芯在全景網投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應,他們表示上述關于DDR4產品的報道并不確切,但是公司現在確實在開展DDR4存儲芯片和模組的設計與開發(fā)工作,而按照計劃,該產品將會在明年逐步推向市場,這也意味著國內首條自主研發(fā)DDR4內存確認將會在明年問世。其實早在今年3月份,紫光國芯的DDR4和LPDDR4內存就已經通過了科技成果評價。

現在紫光其實是有DDR3閃存在售的,在網友們測試之后也紛紛表示雖然不支持XMP等功能,超頻到1866也能夠正常運行,已經達到了可以穩(wěn)定使用的水準,所以對于下一代DDR4內存,我們也是對紫光保有更大的期待。

而在今年1月,紫光也宣布投資2000億元在南京建設半導體產業(yè)基地,建成后月產晶圓10萬片,是中國規(guī)模最大的芯片制造工廠。同時紫光業(yè)投資了長江存儲,計劃打造國產的3D NAND閃存,所以未來紫光的努力或許會在芯片、DRAM和閃存等多個領域開花結果,而這或許會幫助紫光成為世界范圍內為數不多能夠自設計、自生產、自銷售的半導體企業(yè)。

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