外媒報道稱，存儲大廠西部數(shù)據(jù)(WD)正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭。
外媒報道稱，存儲大廠西部數(shù)據(jù)(WD)正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競爭。在本周的 Storage Field Day 上，西數(shù)透露該技術(shù)介于 3D NAND 與 DRAM 之間，類似于英特爾傲騰和三星 Z-NAND 。其訪問延遲在微妙級，使用 1-bit 或 2-bit 的存儲單元。
作為一款性能向的定制設(shè)備，LLF 存儲的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照當下的每 GB 價格計算，其成本是 3D NAND 存儲的 20 倍。換言之，這項技術(shù)只會在數(shù)據(jù)中心或高端工作站普及開來。
西數(shù)沒有透露其低延遲閃存的所有細節(jié)，也無法說明它是否與去年推出的東芝 XL-Flash 低延遲3D NAND 或其它特殊類型的閃存的關(guān)聯(lián)有關(guān)。
至于實際的 LLF 產(chǎn)品將于何時上市，該公司不愿表態(tài)。即便西數(shù)的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存儲技術(shù)打造，即日起開始生產(chǎn)的難度也不大。
有趣的是，盡管西數(shù)的低延遲閃存將與英特爾傲騰和三星 Z-NAND SSD 展開競爭，但該公司并未將 LLF 稱為“存儲級內(nèi)存”(SCM)。
從長遠來看，西數(shù)正在秘密開發(fā)基于 ReRAM 的存儲級內(nèi)存產(chǎn)品，并與惠普攜手開發(fā)基于憶阻器的 SCM 硬件。
當然，研發(fā)往往需要多年。在下一代技術(shù)投入使用前，業(yè)界還是會著力于更成熟的 NAND 閃存，來滿足客戶對于容量和性能的需求。
閃存和固態(tài)硬盤的區(qū)別
簡單一點，閃存是存儲芯片，它本身不能直接寫入文件，需要主控才能實現(xiàn)，例如U盤，各種存儲卡以及固態(tài)硬盤都是包含1個或多個閃存實現(xiàn)存儲功能，也就是說它是存儲設(shè)備的一部分。
固態(tài)硬盤是都多片閃存通過主控實現(xiàn)讀寫功能，一般至少2通道(2個閃存)，還有4通道、8通道以上的，同樣主控和閃存的情況下通道越多速度越快，多通道的閃存芯片間類似硬盤RAID0，所以當然要快些。
固態(tài)硬盤和機械硬盤的區(qū)別
固態(tài)硬盤，簡稱固盤，固態(tài)硬盤用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與普通硬盤一致。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導航設(shè)備等領(lǐng)域。
機械硬盤即是傳統(tǒng)普通硬盤，主要由:盤片，磁頭，盤片轉(zhuǎn)軸及控制電機，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，接口，緩存等幾個部分組成。
機械硬盤的體積要比固態(tài)硬盤大，所以重量也要比固態(tài)硬盤重，從輕便的角度來說，固態(tài)硬盤有優(yōu)勢。
在售價方面，固態(tài)硬盤售價要比機械硬盤貴很多。
機械硬盤的內(nèi)部部件要比固態(tài)硬盤復雜，內(nèi)部存在固態(tài)硬盤沒有的馬達和風扇，所以在這方面固態(tài)硬盤就要比機械硬盤占有很大的優(yōu)勢了，而固態(tài)硬盤要比機械硬盤在工作的時候安靜許多。在功耗方面，固態(tài)硬盤也要低于傳統(tǒng)的機械硬盤。
在硬盤重要的讀寫速度方面，固態(tài)硬盤的讀寫速度要比機械硬盤的讀寫速度高，一般要高2倍左右的速度讀寫能力，SLC只有10萬次的讀寫壽命，成本低廉的MLC，讀寫壽命僅有1萬次，比起傳統(tǒng)硬盤毫無優(yōu)勢可言。另外有一點很重要的是，固態(tài)硬盤內(nèi)部都是使用閃存顆粒的芯片，而機械硬盤是將數(shù)據(jù)儲存在磁碟扇區(qū)里，當使用的時候出現(xiàn)碰撞的問題，固態(tài)硬盤能夠?qū)?shù)據(jù)丟失的可能性降到最小，相比這點機械硬盤就要差很多了。
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