動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《2021-2026年DRAM行業(yè)深度分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報告》分析
與所有半導體產(chǎn)品一樣,少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場份額,DRAM也不例外,存儲器行業(yè)科技含量高,高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè),從而壟斷格局牢固,巨頭優(yōu)勢下馬太效應愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領域形成了“高市占率→高營業(yè)額→研發(fā)投入大→技術領先→搶占市場”的良性循環(huán)。據(jù)統(tǒng)計,2020年Q3三星占據(jù)41.3%市場份額,SK海力士占據(jù)28.2%市場份額,美光占據(jù)25%市場份額,其他占比5.5%。
目前國內(nèi)三大存儲器制造商分別是長江存儲,福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主要負責NAND Flash技術研發(fā),福建晉華和合肥長鑫則負責DRAM領域。2018年下半年福建晉華投產(chǎn)之后,被美國商務部以國家安全為由列入出口管制清單,美國三大半導體制造商在禁令當天撤出福建晉華12寸廠,隨后技術合作方臺灣聯(lián)電表態(tài)終止合作,福建晉華于2019年3月停產(chǎn)。目前國產(chǎn)替代DRAM最大希望就在合肥長鑫。
據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計,今年全球存儲器的市場規(guī)模將超過1500億美金,其中NAND Flash大約在650億美元左右,而DRAM大概在911億美元。未來隨著智能手機、PC、數(shù)據(jù)中心等對存儲器需求不斷增長,從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長,DRAM容量將以20%左右的增長率成長。
據(jù)報道,三星及SK海力士保守增加DRAM供應量。“因前期半導體短缺情況,導致客戶累積了較多的庫存,(客戶)要先消耗自己的庫存,所以購買積極性不高,看待DRAM這個市場稍微保守些?!币晃恍袠I(yè)人士表示。
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