2022年DRAM行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析

• 2022年6月16日 HaoChenChong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1385 91
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由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

2022年DRAM行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析

由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與大部分的隨機(jī)存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設(shè)備。

與所有半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣，少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場份額，DRAM也不例外，存儲器行業(yè)科技含量高，高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè)，從而壟斷格局牢固，巨頭優(yōu)勢下馬太效應(yīng)愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領(lǐng)域形成了“高市占率→高營業(yè)額→研發(fā)投入大→技術(shù)領(lǐng)先→搶占市場”的良性循環(huán)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年Q3三星占據(jù)41.3%市場份額，SK海力士占據(jù)28.2%市場份額，美光占據(jù)25%市場份額，其他占比5.5%。

目前國內(nèi)三大存儲器制造商分別是長江存儲，福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主要負(fù)責(zé)NAND Flash技術(shù)研發(fā)，福建晉華和合肥長鑫則負(fù)責(zé)DRAM領(lǐng)域。2018年下半年福建晉華投產(chǎn)之后，被美國商務(wù)部以國家安全為由列入出口管制清單，美國三大半導(dǎo)體制造商在禁令當(dāng)天撤出福建晉華12寸廠，隨后技術(shù)合作方臺灣聯(lián)電表態(tài)終止合作，福建晉華于2019年3月停產(chǎn)。目前國產(chǎn)替代DRAM最大希望就在合肥長鑫。

據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年全球存儲器的市場規(guī)模將超過1500億美金，其中NAND Flash大約在650億美元左右，而DRAM大概在911億美元。未來隨著智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等對存儲器需求不斷增長，從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長，DRAM容量將以20%左右的增長率成長。

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