2023硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測

• 陳澤芳 2023年1月31日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1382 91
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根據(jù)工信部發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展路線圖(2018—2022年)》指出，目前高速率光芯片國產(chǎn)化率僅3%左右，要求2022年中低端光電子芯片的國產(chǎn)化率超過60%，高端光電子芯片國產(chǎn)化率突破20%。目前我國十四五政策上來看，上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件，重C

硅材料為基礎的微電子器件則以其低功耗、低成本、易集成等優(yōu)點迅速占領了絕大部分電子市場，硅基光電子技術產(chǎn)業(yè)的重要支柱。從晶體管的發(fā)明、集成電路的出現(xiàn)、計算機的不斷更新?lián)Q代、再到通信網(wǎng)絡的飛速發(fā)展，人類生活的各個層面無不打下了微電子的烙?。何㈦娮赢a(chǎn)品已經(jīng)被用到人們物資生活的各個層面;硅基光電子技術的設計思想和制作方法也已經(jīng)滲入到不同學科及社會領域。

硅基光電子技術擁有光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性以及微電子技術在大規(guī)模集成、低能耗、低成本等方面的優(yōu)勢，更適應未來高速、復雜的光通信系統(tǒng)。同時可以滿足長距離數(shù)據(jù)傳輸以及微電子芯片間的短距離大容量數(shù)據(jù)傳輸，通過與微電子集成電路進行單片集成，實現(xiàn)高速、低功耗的片上互連，突破微電子處理器在數(shù)據(jù)互連上的瓶頸。

2023硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測

根據(jù)工信部發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展路線圖(2018—2022年)》指出，目前高速率光芯片國產(chǎn)化率僅3%左右，要求2022年中低端光電子芯片的國產(chǎn)化率超過60%，高端光電子芯片國產(chǎn)化率突破20%。目前我國十四五政策上來看，上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件，重點突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應用，對光子器件模塊化技術、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術、光電集成模塊封裝技術等方面的研究開展重點攻關。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

當前國內(nèi)負極材料生產(chǎn)企業(yè)眾多，這必然導致負極材料市場競爭的加劇。未來，負極材料市場競爭格局將聚焦于各龍頭之間的競爭，低端產(chǎn)能將被逐步出清，擁有核心技術和優(yōu)勢客戶渠道的企業(yè)將會獲得更多市場份額，硅基光電子市場集中度將進一步提升。

從市場格局來看，國內(nèi)主要硅基負極材料生產(chǎn)企業(yè)包括貝特瑞、上海杉杉、江西紫宸、江西正拓、中科電氣、深圳斯諾等，其中能夠實現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)較少。作為國內(nèi)最早量產(chǎn)硅基負極材料的企業(yè)之一，目前貝特瑞的硅碳負極材料已經(jīng)突破至第三代產(chǎn)品，比容量從第一代的650mAh/g提升至第三代的1500mAh/g，并且正在開發(fā)更高容量的第四代硅碳負極材料產(chǎn)品。中研普華研究院預計，硅基光電子材料的銷售將從2023年真正開始，到2025年，全球硅負極材料的需求將以70%的復合年增長率增長，行業(yè)未來幾年將處于高增長態(tài)勢

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2022-2027年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》顯示：

硅基光電子的核心理念是“光電融合”，即利用硅或與硅工藝兼容的其他材料作為光學介質，跟現(xiàn)有的CMOS工藝兼容，開發(fā)以光電子、電子為載體的功能器件，并將它們在同一襯底上大規(guī)模集成，形成一個完整的具有綜合功能的新型集成電路單元，實現(xiàn)對光子進行發(fā)射、傳輸、探測和處理，可在光通、光互連、光計算和光傳感等領域應用。

國內(nèi)硅基光電子產(chǎn)業(yè)的壯大離不開上下游產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，只有裝備及材料的不斷國產(chǎn)化才能使產(chǎn)品更具市場競爭力。硅片制備作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一個環(huán)節(jié)，在接下來的發(fā)展中機遇與挑戰(zhàn)將會并存，對于國內(nèi)所有半導體材料人來說任重而道遠。硅光子技術將硅光模塊中的光學器件與電子元件整合到一個獨立的微芯片中，使光信號處理與電信號的處理深度融合，最終實現(xiàn)真正意義上的“光互聯(lián)”。

在“863?計劃”“973?計劃”和國家自然科學基金等支持下，我國也加大了硅基異質集成方向的研究力度，在硅基關鍵光電子集成器件等方面取得了一系列重要成果，調制、探測、復用與解復用等分立器件已經(jīng)研制成功，異質集成襯底、光源、高速光電調制器等方向取得了一系列重要進展。得益于硅基材料在短波中紅外波段的高透明度、高光學非線性和成熟的CMOS制作工藝等優(yōu)勢，硅基光子技術有望為實現(xiàn)低成本、大規(guī)模單片光電子集成應用提供一種極具前景的解決方案。

近?10?年來，硅基光電子集成的關鍵材料和器件研究引起了科學界和工業(yè)界的廣泛關注，僅美國?Intel?公司對硅基光電子的研發(fā)投入就高達數(shù)十億美元。硅基光電異質集成技術不僅擁有硅材料可大規(guī)模?CMOS?制造的特點，硅基光電子同時充分發(fā)揮不同材料的優(yōu)異光電特性，可實現(xiàn)傳統(tǒng)硅光技術無法媲美的器件指標，進而實現(xiàn)真正意義上的硅基光電子單片集成系統(tǒng)。

硅基光電子行業(yè)報告根據(jù)行業(yè)的發(fā)展軌跡及多年的實踐經(jīng)驗，對硅基光電子行業(yè)未來的發(fā)展趨勢做出審慎分析與預測，是行業(yè)企業(yè)、科研單位、銷售企業(yè)、投資企業(yè)準確了解行業(yè)當前最新發(fā)展動態(tài)，把握硅基光電子行業(yè)市場機會，做出正確經(jīng)營決策和明確企業(yè)發(fā)展方向不可多得的精品，也是業(yè)內(nèi)第一份對硅基光電子行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈以及行業(yè)重點企業(yè)進行全面系統(tǒng)分析的重量級報告。更多硅基光電子市場調研消息,可以點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2022-2027年中國硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》。

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