長(zhǎng)江存儲(chǔ)注冊(cè)資本增至千億 數(shù)據(jù)中心DRAM成內(nèi)存市場(chǎng)需求

• 黃江 2023年3月3日 來(lái)源：新浪 343 15
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與此同時(shí)，隨著人工智能與高性能計(jì)算(HPC)等新興應(yīng)用的普及，服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的需求則一路走旺。從這個(gè)角度看，Trendforce認(rèn)為服務(wù)器內(nèi)存將成為DRAM行業(yè)未來(lái)幾年內(nèi)的核心主體。該公司預(yù)計(jì)，單在2023年之內(nèi)，服務(wù)器的平均DRAM容量就將增長(zhǎng)12%。

最新數(shù)據(jù)顯示，用于手機(jī)和個(gè)人電腦的DRAM內(nèi)存的平均價(jià)格在去年第四季度暴跌了34.4%，為2008年以來(lái)最大跌幅，而上一季度的跌幅為31.4%。銷售給數(shù)據(jù)中心和企業(yè)客戶的主要產(chǎn)品閃存NAND也分別跌27.7%、32%，兩個(gè)季度的跌幅均創(chuàng)2008年以來(lái)最大。

與邏輯芯片不同,內(nèi)存產(chǎn)品是標(biāo)準(zhǔn)化的并且通?？梢曰ゲ僮?一家公司的內(nèi)存芯片通?？梢蕴娲硪患夜镜膬?nèi)存芯片。這些特性通常會(huì)增加內(nèi)存市場(chǎng)的彈性,因?yàn)閮?nèi)存客戶愿意為主流市場(chǎng)支付費(fèi)用價(jià)格通?？梢詮氖袌?chǎng)上的任何內(nèi)存生產(chǎn)商處采購(gòu)他們的產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)注冊(cè)資本增至千億

在美方持續(xù)升級(jí)對(duì)華半導(dǎo)體出口管制背景下，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)運(yùn)營(yíng)近況備受關(guān)注。最新工商變動(dòng)信息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)注冊(cè)資本已增至千億元，新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金二期(“大基金二期”)、湖北長(zhǎng)晟發(fā)展、長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)為公司主要股東。其中，大基金二期認(rèn)繳出資近129億元。

最新工商信息顯示，2023年2月27日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)注冊(cè)資本從562.75億元變更為1052.7億元，同比增加約87%。主要股東中，大基金二期認(rèn)繳出資128.87億元，持股比例達(dá)到12.24%，位居第四大單一持股股東;大基金(一期)持股則相應(yīng)稀釋，持股比例從約24%降至12.88%。

另外，湖北長(zhǎng)晟發(fā)展有限責(zé)任公司認(rèn)繳出資300.69億元，持股占比達(dá)28.56%，成為目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)單一持股比例最高的大股東;長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)認(rèn)繳出資28.64億元，持股比例為2.72%。

除了出手認(rèn)繳出資外，大基金二期已經(jīng)參與到長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期投資，在2021年12月8日獲認(rèn)繳180億元，在二期投資中持股占比30%。

對(duì)于大基金二期等股東最新出資認(rèn)繳情況，長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面未予置評(píng)。

除了投資長(zhǎng)江存儲(chǔ)外，大基金二期持續(xù)布局國(guó)產(chǎn)芯片制造以及相關(guān)配套環(huán)節(jié)。今年1月份，大基金二期投資國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造龍頭之一華虹半導(dǎo)體，并且聯(lián)合投資合計(jì)67億美元用于公司擴(kuò)充12英寸晶圓產(chǎn)能，在去年6月大基金二期還增資華虹無(wú)錫子公司;另外，去年11月，通富微電定增也獲大基金認(rèn)購(gòu)近3億元。

服務(wù)器DRAM將成為內(nèi)存市場(chǎng)

盡管消費(fèi)市場(chǎng)低迷，但數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)有望力挽狂瀾。隨著數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng)，以及同期消費(fèi)級(jí)設(shè)備受宏觀經(jīng)濟(jì)低迷的拖累，今年服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品在DRAM總銷售容量方面有望超越移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存。

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Trendforce公布數(shù)據(jù)稱，過(guò)去幾個(gè)月來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)長(zhǎng)期處于直線下降狀態(tài)。2022年第四季度DRAM平均銷售價(jià)格下降了34%，而此前一個(gè)季度也下降了31%。

如今，分析人士預(yù)計(jì)智能手機(jī)出貨量與設(shè)備平均DRAM容量也將增長(zhǎng)乏力，兩項(xiàng)指標(biāo)在2023年內(nèi)恐怕將會(huì)原地踏步。

因此，Trendforce預(yù)計(jì)服務(wù)器內(nèi)存在DRAM供應(yīng)商銷售問(wèn)題中的占比將持續(xù)提升，年內(nèi)占比將達(dá)到37.6%左右，正式反超占比36.8%的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品。

根據(jù)Trendforce的分析，智能手機(jī)廠商在設(shè)計(jì)2022款產(chǎn)品時(shí)，普遍傾向于利用現(xiàn)有庫(kù)存內(nèi)的組件來(lái)滿足硬件規(guī)格，因此限制了手機(jī)DRAM容量的進(jìn)一步增長(zhǎng)。

展望2023年，Trendforce預(yù)計(jì)智能手機(jī)的平均DRAM容量將增長(zhǎng)6.7%。雖然明顯高于2022年3.9%的增幅，但同比增長(zhǎng)率基本保持不變，而且恐怕未來(lái)幾年內(nèi)將始終處于10%以內(nèi)的低增長(zhǎng)區(qū)間。

與此同時(shí)，隨著人工智能與高性能計(jì)算(HPC)等新興應(yīng)用的普及，服務(wù)器對(duì)內(nèi)存的需求則一路走旺。從這個(gè)角度看，Trendforce認(rèn)為服務(wù)器內(nèi)存將成為DRAM行業(yè)未來(lái)幾年內(nèi)的核心主體。該公司預(yù)計(jì)，單在2023年之內(nèi)，服務(wù)器的平均DRAM容量就將增長(zhǎng)12%。

根據(jù)中研普華研究院《2022-2027年中國(guó)內(nèi)存卡行業(yè)供需趨勢(shì)及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告》顯示：

全球前六大DRAM廠商的收入無(wú)一例外都在暴跌，而在價(jià)格占中最積極的三星出貨量不降反增，季度收入55.4億美元，雖然環(huán)比也跌了25.1%，卻是各家中最少的。

同時(shí)，三星的市場(chǎng)份額來(lái)到45.1%，一個(gè)季度就收獲了4.4個(gè)百分點(diǎn)，算是一場(chǎng)慘勝。

SK海力士季度收入33.98億美元，環(huán)比下降35.2%，積極加大出貨也于事無(wú)補(bǔ)，份額跌至27.7%。

美光收入28.29億美元，環(huán)比暴跌41.2%，出貨量也大大縮水，份額從26.4%降至23.0%，是各家廠商中最慘的。

另外，在臺(tái)系廠商中，南亞跌30.0%，華邦跌30..3%，力積電跌39.5%，但三家份額合計(jì)才3.1%，基本穩(wěn)定不變。

從目前的形勢(shì)看，DRAM廠商還要在困境中掙扎很長(zhǎng)一段時(shí)間，內(nèi)存價(jià)格也會(huì)持續(xù)走低。

內(nèi)存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀分析

美光、SK海力士、三星等廠商一直不斷地追逐NAND閃存更高層數(shù)，在跨越100層后便開(kāi)始向200+層邁進(jìn)，以達(dá)到性能的提高。

從去年的技術(shù)成績(jī)來(lái)看，美光方面，2022年7月，美光全球首款232層NAND閃存在新加坡工廠正式量產(chǎn)，而當(dāng)時(shí)的三星正在苦研176層NAND閃存。同年12月，美光成功向PC OEM客戶出貨232層NAND客戶端SSD，該產(chǎn)品適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)。

SK海力士方面，2022年8月，SK海力士成功開(kāi)發(fā)出238層NAND閃存，這是目前世界最高層數(shù)，該公司已向客戶發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年投入量產(chǎn)。

三星方面，隨著業(yè)界不斷傳出閃存技術(shù)的新動(dòng)態(tài)，三星也不免跟著著急，面對(duì)各種雜音，三星曾表示將在2022年內(nèi)發(fā)布236層NAND閃存產(chǎn)品。為進(jìn)一步加大研發(fā)力度，三星還計(jì)劃開(kāi)設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，該中心將負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的NAND閃存產(chǎn)品。

終于在2022年11月，三星宣布量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片，這是三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(128GB)三比特單元(TLC)的第8代V-NAND。而三星的第九代V-NAND目前尚在開(kāi)發(fā)中，并計(jì)劃從2024年開(kāi)始量產(chǎn)第9代NAND閃存。

三星曾預(yù)計(jì)，到2030年公司將打造出堆疊層數(shù)超1000層的V-NAND。并且為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星正在從當(dāng)前的TLC架構(gòu)過(guò)渡到四級(jí)單元(QLC)架構(gòu)，以提高密度和啟用更多層數(shù)。

而西數(shù)/鎧俠方面，西數(shù)于去年5月表示，未來(lái)將與鎧俠推出200層以上(BiCS+)的閃存產(chǎn)品，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上的閃存技術(shù)。不過(guò)目前西數(shù)和鎧俠暫無(wú)最新的消息。

從市場(chǎng)份額上看，據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，截止2022年第三季度，在NAND閃存市場(chǎng)，三星的市場(chǎng)份額為31.4%，排行第一;其次是鎧俠、20.6%;后面是SK海力士、18.5%，西部數(shù)據(jù)、12.6%，美光、12.3%。

《2022-2027年中國(guó)內(nèi)存卡行業(yè)供需趨勢(shì)及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告》由中研普華研究院撰寫，本報(bào)告對(duì)該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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  2022-2027年中國(guó)內(nèi)存卡行業(yè)供需趨勢(shì)及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告

  內(nèi)存卡行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析內(nèi)存卡未來(lái)的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘內(nèi)存卡行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)...

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