AI需求高漲 2024年Server DRAM單機平均搭載容量預估年增17.3% DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析報告

• 李波 2024年2月5日 來源：中研普華集團、央視財經、中研網 584 33
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據研報，2024年市場持續(xù)聚焦AI(人工智能)議題，供應商也陸續(xù)推出AI高端芯片，隨著運算速度的提升，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用，如智能手機、服務器、筆電的單機平均搭載容量均有成長，又以服務器領域成長幅度最高，Server DRAM單機平均容量預估年增17.

據研報，2024年市場持續(xù)聚焦AI(人工智能)議題，供應商也陸續(xù)推出AI高端芯片，隨著運算速度的提升，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應用，如智能手機、服務器、筆電的單機平均搭載容量均有成長，又以服務器領域成長幅度最高，Server DRAM單機平均容量預估年增17.3%，領先其他應用;Enterprise SSD則預估年增13.2%。

隨著制程工藝的不斷升級，DRAM的存儲密度、訪問速度和功耗等方面也有較大的提升。這使得DRAM產品的性能得到了顯著提升，更好地滿足了用戶的需求。

近年來，由于智能手機、服務器、數據中心等市場的快速發(fā)展，對DRAM的需求量持續(xù)增長，而DRAM的產能增長卻相對緩慢，導致市場供不應求，價格居高不下。

動態(tài)隨機存取存儲器是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。

因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

DRAM的特點是速度快、集成度高、功耗低等。由于其快速的讀寫速度，DRAM被用作計算機系統(tǒng)的主內存，用于存儲操作系統(tǒng)、應用程序和數據等。

隨著技術的發(fā)展，DRAM的容量和性能也在不斷提高，從早期的DRAM到現(xiàn)代的DDR4和GDDR5等類型，DRAM的應用范圍也在不斷擴展。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。

但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器一樣，由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設備。

全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現(xiàn)貨價，價格走勢是跟蹤景氣變化的關鍵指標，合約價：ContractPrice，大客戶，價格按照協(xié)議合約走，定期議價，不受期間價格波動影響，占比約90%。

DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣?；镜牟僮鳈C制分為讀和寫，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現(xiàn)象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。

寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。

就全球存儲芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時儲存數據的功能，如遇斷電則數據則會丟失信息，更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數據更多，屬與電子設備必須的組成部分。

根據中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調研及投資策略預測報告》顯示：

全球DRAM下游需求結構而言，2021年第一大市場智能手機占比39%，具體而言，2021年全球智能手機出貨量達13.5億臺，同比2020年增長5.7%;

第二大市場服務器占比34%，具體而言，出貨量和銷售額分別為1353.9萬臺和992.2億美元，同比2020年增長6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%，但受整體核心配件GPU價格高漲影響，DIY需求和辦公需求萎縮，整體市占率下降，僅占比13%。

受下游智能手機和服務器等消費電子不斷擴容、IoT為代表的消費升級以及大數據云計算技術不斷突破的背景下，存儲器市場快速發(fā)展，同時因為硅價原材料高漲帶動價格上升，產業(yè)表現(xiàn)為明顯的量價齊升趨勢，數據顯示，2021年全球DRAM市場規(guī)模達949億美元，同比2020年增長41.6%。

數據顯示，截止2021年年底，全球DRAM產能約為150萬片/月，其中國產企業(yè)合肥長鑫已達到6萬片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產能的4%，整體國產化水平將進一步推進。從全球DRAM芯片市場區(qū)域格局來看，美國和中國是DRAM芯片的主要消費市場，市場份額合計超七成，其中美國略高于中國，數據顯示，2019年中國DRAM消費份額占比全球34%，僅次于美國的39%。

除了計算機系統(tǒng)外，DRAM還廣泛應用于其他數字設備中，如服務器、路由器、交換機、圖形卡等。隨著云計算、大數據等技術的發(fā)展，對高容量、高速率的DRAM需求也在不斷增加?？偟膩碚f，DRAM是計算機和數字設備中不可或缺的存儲器之一，其技術發(fā)展不斷推動著計算機和數字設備的性能提升。

中國政府一直在推動半導體產業(yè)的本土化，包括DRAM。這導致了對國內DRAM廠商的需求增加，以減少對進口DRAM的依賴。國內需求的增長激勵了本土DRAM制造商提高產能和技術水平。根據數據顯示，2022年中國dram存儲器行業(yè)需求量約為738.3億GB，主要集中在中南地區(qū)，占比為41%。

DRAM行業(yè)未來發(fā)展趨勢預測

除了傳統(tǒng)的計算機內存、服務器和移動設備等領域，DRAM正在不斷延伸到物聯(lián)網、人工智能、自動駕駛等新興應用領域。這些領域對于高速、高密度、低功耗的存儲器需求巨大，給DRAM行業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。

總的來說，DRAM行業(yè)現(xiàn)狀呈現(xiàn)出技術不斷進步、應用領域不斷拓展、市場供不應求、競爭格局變化和行業(yè)整合加速等特點。未來，隨著技術的進步和市場的變化，DRAM行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展壯大。

未來，隨著技術的不斷進步和市場的變化，DRAM行業(yè)的競爭格局也將發(fā)生變化。一些老牌廠商可能面臨技術落后和市場占有率下降的困境，而一些新興廠商則可能通過技術創(chuàng)新和市場拓展快速崛起。這將影響DRAM的市場格局和競爭態(tài)勢。DRAM的未來發(fā)展前景是充滿機遇和挑戰(zhàn)的。

中研普華通過對市場海量的數據進行采集、整理、加工、分析、傳遞，為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務，最大限度地幫助客戶降低投資風險與經營成本，把握投資機遇，提高企業(yè)競爭力。

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