動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。
2023Q2 DRAM產(chǎn)業(yè)營收止跌回升
根據(jù)TrendForce研究顯示,得益于AI服務(wù)器需求攀升,帶動HBM出貨成長,加上客戶端DDR5的備貨潮,使得三大原廠出貨量均有成長,第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約114.3億美元,環(huán)比增長20.4%,終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。其中,SK海力士出貨量環(huán)比增長超過35%,且平均銷售單價(ASP)較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長,帶動SK海力士產(chǎn)品平均單價(ASP)逆勢成長7~9%,推升SK海力士第二季營收季增近5成,成長幅度居冠,達34.4億美元,回歸第二名。
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器設(shè)備。
DRAM芯片需求經(jīng)歷了PC推動周期、PC&Notebook推動周期,目前正處于智能手機&服務(wù)器&AloT推動周期。2020年上半年受新冠疫情影響,服務(wù)器、智能手機、PC需求激增帶動DRAM價格迅速回升,新一輪上升的大趨勢基本確定。 云計算、大數(shù)據(jù)的興起,服務(wù)器的數(shù)據(jù)容量和處理速度在不斷提高,推動了DDR技術(shù)的升級迭代,目前市場上主流技術(shù)規(guī)范為DDR4和LPDDR4,DDR5技術(shù)即將進入商用領(lǐng)域。
DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣?;镜牟僮鳈C制分為讀和寫,讀的時候先讓Bitline先充電到操作電壓的一半,然后再把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象,若內(nèi)部存儲的值為1,則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半,反之,若內(nèi)部存儲的值為0,則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半,得到了BL的電壓后,在經(jīng)過放大器來判別出內(nèi)部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開,若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓,若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告》顯示:
全球DRAM下游需求結(jié)構(gòu)而言,2021年第一大市場智能手機占比39%,具體而言,2021年全球智能手機出貨量達13.5億臺,同比2020年增長5.7%;第二大市場服務(wù)器占比34%,具體而言,出貨量和銷售額分別為1353.9萬臺和992.2億美元,同比2020年增長6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%,但受整體核心配件GPU價格高漲影響,DIY需求和辦公需求萎縮,整體市占率下降,僅占比13%。
DRAM占存儲器市場規(guī)模的58%,為最大的細(xì)分市場。DRAM以其經(jīng)濟、可靠、高效的特點,被廣泛運用于移動設(shè)備、服務(wù)器、PC等市場。PC端、移動端、服務(wù)器端為DRAM主要需求來源,市場需求占比大。PC端進入存量替代市場,出貨穩(wěn)定;移動端和服務(wù)器端DRAM需求旺盛;5G熱潮以及5G智能手機帶來的出貨增長拉動了DRAM需求;車用DRAM是將成為DRAM的新戰(zhàn)場。
2020年DRAM下游移動式(手機、移動端)占39.6%;服務(wù)器占33.9%;PC占13.1%;消費電子占7.9%;圖形技術(shù)占5.5%。移動端DRAM自2012年超過PC端以來始終是DRAM最大市場,目前占DRAM總出貨量40%左右。2020年全球手機出貨量約12.92億臺,同比下降5.76%。 2016-2020年,全球服務(wù)器出貨量呈穩(wěn)定增長趨勢,2020年全球服務(wù)器出貨量12.11億臺,同比增長3.92%;2021年全球服務(wù)器出貨金額為910.1億美元,同比增長4.26%。
就全球存儲芯片定位而言,2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器,多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū),起到臨時儲存數(shù)據(jù)的功能,如遇斷電則數(shù)據(jù)則會丟失信息,更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數(shù)據(jù)更多,屬與電子設(shè)備必須的組成部分。
全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現(xiàn)貨價,價格走勢是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標(biāo),合約價:ContractPrice,大客戶,價格按照協(xié)議合約走,定期議價,不受期間價格波動影響,占比約90%。
中研普華利用多種獨創(chuàng)的信息處理技術(shù),對市場海量的數(shù)據(jù)進行采集、整理、加工、分析、傳遞,為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務(wù),最大限度地降低客戶投資風(fēng)險與經(jīng)營成本,把握投資機遇,提高企業(yè)競爭力。想要了解更多最新的專業(yè)分析請點擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告》。
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2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報告
DRAM行業(yè)研究報告中的DRAM行業(yè)數(shù)據(jù)分析以權(quán)威的國家統(tǒng)計數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),采用宏觀和微觀相結(jié)合的分析方式,利用科學(xué)的統(tǒng)計分析方法,在描述行業(yè)概貌的同時,對DRAM行業(yè)進行細(xì)化分析,重點企業(yè)狀況等...
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