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Annual Research and Consultation Report of Panorama survey and Investment strategy on China Industry
《2013-2018年發(fā)光二極管（LED）用襯底材料市場(chǎng)運(yùn)行形勢(shì)及投資策略分析報(bào)告 》由中研普華發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)分析專家領(lǐng)銜撰寫，主要分析了發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模、發(fā)展現(xiàn)狀與投資前景，同時(shí)對(duì)發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)的未來發(fā)展做出科學(xué)的趨勢(shì)預(yù)測(cè)和專業(yè)的發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)數(shù)據(jù)分析，幫助客戶評(píng)估發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)投資價(jià)值。
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本報(bào)告由中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)出品，報(bào)告版權(quán)歸中研普華公司所有。本報(bào)告是中研普華公司的研究與統(tǒng)計(jì)成果，報(bào)告為有償提供給購(gòu)買報(bào)告的客戶使用。未獲得中研普華公司書面授權(quán)，任何網(wǎng)站或媒體不得轉(zhuǎn)載或引用，否則中研普華公司有權(quán)依法追究其法律責(zé)任。如需訂閱研究報(bào)告，請(qǐng)直接聯(lián)系本網(wǎng)站，以便獲得全程優(yōu)質(zhì)完善服務(wù)。
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本報(bào)告目錄與內(nèi)容系中研普華原創(chuàng)，未經(jīng)本公司事先書面許可，拒絕任何方式復(fù)制、轉(zhuǎn)載。
發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)研究報(bào)告主要分析了發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展概況、行業(yè)的發(fā)展環(huán)境、市場(chǎng)分析（市場(chǎng)規(guī)模、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)特點(diǎn)等）、生產(chǎn)分析（生產(chǎn)總量、供需平衡等）、競(jìng)爭(zhēng)分析（行業(yè)集中度、競(jìng)爭(zhēng)格局、競(jìng)爭(zhēng)組群、競(jìng)爭(zhēng)因素等）、產(chǎn)品價(jià)格分析、用戶分析、替代品和互補(bǔ)品分析、行業(yè)主導(dǎo)驅(qū)動(dòng)因素、行業(yè)渠道分析、行業(yè)贏利能力、行業(yè)成長(zhǎng)性、行業(yè)償債能力、行業(yè)營(yíng)運(yùn)能力、發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)分析、子行業(yè)分析、區(qū)域市場(chǎng)分析、行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)分析、行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)及相關(guān)的經(jīng)營(yíng)、投資建議等。報(bào)告研究框架全面、嚴(yán)謹(jǐn)，分析內(nèi)容客觀、公正、系統(tǒng)，真實(shí)準(zhǔn)確地反映了我國(guó)發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢(shì)。
本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場(chǎng)調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家經(jīng)濟(jì)信息中心、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、全國(guó)商業(yè)信息中心、中國(guó)經(jīng)濟(jì)景氣監(jiān)測(cè)中心、中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)、全國(guó)及海外多種相關(guān)報(bào)刊雜志的基礎(chǔ)信息以及專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。對(duì)我國(guó)發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)作了詳盡深入的分析，是企業(yè)進(jìn)行市場(chǎng)研究工作時(shí)不可或缺的重要參考資料，同時(shí)也可作為金融機(jī)構(gòu)進(jìn)行信貸分析、證券分析、投資分析等研究工作時(shí)的參考依據(jù)。
第一章 半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)概述
1.1 半導(dǎo)體照明（LED）產(chǎn)業(yè)背景環(huán)境
1.2 LED 產(chǎn)業(yè)鏈主要產(chǎn)品、分類及應(yīng)用
1.3 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)重要環(huán)節(jié)及其特點(diǎn)
1.3.1 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概述
1.3.2 上游環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)鏈
1.3.3 中游環(huán)節(jié)（芯片制備）產(chǎn)業(yè)鏈
1.3.4 下游環(huán)節(jié)（封裝和應(yīng)用）產(chǎn)業(yè)鏈
1.3.5 全國(guó)主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及潛力點(diǎn)
第二章 全球及我國(guó)LED 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
2.1 全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
2.1.1 全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)格局現(xiàn)狀及發(fā)展
2.1.2 全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀
2.2 中國(guó)LED市場(chǎng)現(xiàn)狀
2.2.1 中國(guó)LED市場(chǎng)地位與現(xiàn)狀
2.2.2 中國(guó)LED外延及芯片環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
2.2.3 中國(guó)LED封裝環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析
2.2.4 中國(guó)LED應(yīng)用領(lǐng)域現(xiàn)狀分析
2.2.5 2011年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
2.3 中國(guó)LED發(fā)展預(yù)測(cè)
2.3.1 政策支持
2.3.2 投資分析
2.3.2.1 投資結(jié)構(gòu)分析
2.3.2.2 投資資金分析
2.3.2.3 投資區(qū)域分析
2.3.2.4 2012年LED產(chǎn)業(yè)投資建議
第三章 LED用襯底材料概述
3.1 襯底材料的類型及在LED產(chǎn)品中的作用
3.2 LED芯片常用襯底材料選用比較
3.3 LED用襯底材料相關(guān)政策資源分析
3.4 LED用襯底材料相關(guān)產(chǎn)業(yè)分析
第四章 藍(lán)寶石篇
4.1藍(lán)寶石襯底概述
4.1.1 藍(lán)寶石襯底概念
4.1.2 藍(lán)寶石單晶晶體物理性能
4.1.3 藍(lán)寶石襯底主要類型和應(yīng)用領(lǐng)域
4.1.4 藍(lán)寶石襯底主要技術(shù)參數(shù)及工藝路線
4.1.5 藍(lán)寶石襯底標(biāo)準(zhǔn)
4.1.6 藍(lán)寶石基板應(yīng)用種類
4.2 國(guó)內(nèi)外藍(lán)寶石襯底行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展
4.2.1 國(guó)外行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與企業(yè)介紹
4.2.2 國(guó)外企業(yè)及其產(chǎn)品簡(jiǎn)介
4.2.2.1 Rubicon
4.2.2.2 STC
4.2.2.3 Monocrystal
4.2.2.4 越峰電子材料股份有限公司
4.2.2.5 日本的京都陶瓷（Kyocera）
4.2.2.6 并木精密寶石工業(yè)
4.2.2.7 Astek
4.2.2.8 其它
4.2.3 國(guó)內(nèi)藍(lán)寶石襯底行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.4 國(guó)內(nèi)主要藍(lán)寶石單晶生產(chǎn)企業(yè)簡(jiǎn)介
4.2.5 國(guó)內(nèi)藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐市場(chǎng)情況
4.3 我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)對(duì)藍(lán)寶石襯底的需求分析
4.4 藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)技術(shù)分析
4.4.1 目前藍(lán)寶石單晶主要生長(zhǎng)技術(shù)分析
4.4.2 國(guó)內(nèi)外主要技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
第五章 碳化硅篇
5.1 碳化硅襯底概述
5.1.1 碳化硅襯底概念
5.1.2 碳化硅性質(zhì)
5.1.3 碳化硅主要類型及應(yīng)用領(lǐng)域
5.1.4 碳化硅襯底標(biāo)準(zhǔn)
5.2 國(guó)內(nèi)外碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)分析
5.2.1 國(guó)外SiC晶片市場(chǎng)分析
5.2.2 國(guó)外企業(yè)及其產(chǎn)品介紹
5.2.2.1 CREE
5.2.2.2 SiCrystal
5.2.2.3 道康寧
5.2.2.4 新日鐵集團(tuán)
5.2.2.5 普利司通
5.2.3 國(guó)內(nèi)SiC晶片生產(chǎn)及需求分析
5.2.4 國(guó)內(nèi)SiC晶片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2.5 國(guó)內(nèi)研發(fā)、生產(chǎn)企業(yè)及其產(chǎn)品簡(jiǎn)介
5.3 國(guó)內(nèi)外碳化硅襯底行業(yè)的需求分析
5.3.1 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)碳化硅襯底的需求分析
5.3.2 軍事領(lǐng)域?qū)μ蓟枰r底的需求分析
5.4 碳化硅襯底技術(shù)分析
5.4.1國(guó)外碳化硅技術(shù)現(xiàn)狀分析
5.4.2 國(guó)內(nèi)碳化硅生產(chǎn)技術(shù)與研究現(xiàn)狀
第六章 硅襯底篇
6.1 硅襯底概述
6.1.1 硅襯底概念
6.1.2 硅襯底材料的優(yōu)勢(shì)
6.1.3 部分涉及單晶硅及硅拋光片國(guó)家及SEMI標(biāo)準(zhǔn)
6.2 國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)對(duì)硅襯底材料市場(chǎng)的需求
6.2.1 LED產(chǎn)業(yè)對(duì)硅襯底材料的需求潛力分析
6.2.2 硅襯底材料在其他新興領(lǐng)域的需求
6.3 國(guó)內(nèi)硅襯底生產(chǎn)技術(shù)分析
第七章 砷化鎵篇
7.1 砷化鎵材料概述
7.1.1 砷化鎵的概念
7.1.2 砷化鎵分類
7.1.2.1 按照應(yīng)用領(lǐng)域不同分類
7.1.2.2 按照工藝方法不同的分類
7.1.3 砷化鎵生長(zhǎng)方法概述
7.2 國(guó)內(nèi)外砷化鎵材料的發(fā)展
7.2.1 境外砷化鎵材料的發(fā)展
7.2.2 境外砷化鎵材料市場(chǎng)的發(fā)展
7.2.3 境外砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展
7.2.4 國(guó)內(nèi)砷化鎵材料的現(xiàn)狀及發(fā)展
7.2.5 國(guó)內(nèi)砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀
7.3 砷化鎵外延片的加工
7.3.1 砷化鎵外延片的工藝法
7.3.1.1 氣相外延
7.3.1.2 液相外延
7.3.1.3 分子束外延（MBE）
7.3.1.4 MOCVD
7.3.2 LED使用中對(duì)砷化鎵外延材料的性能要求
第八章 其他襯底材料
8.1 氧化鋅
8.1.1 氧化鋅晶體概述
8.1.2 氧化鋅晶體應(yīng)用及發(fā)展
8.2 氮化鎵
8.2.1 氮化鎵晶體概述
8.2.2 氮化鎵晶體應(yīng)用及發(fā)展
8.3 硼化鋯
8.3.1 硼化鋯晶體概述
8.3.2 硼化鋯晶體應(yīng)用及發(fā)展
8.4 金屬合金
8.4.1 金屬合金襯底概述
8.4.2 金屬合金襯底應(yīng)用及發(fā)展
8.5 其他晶體材料
8.5.1 鎂鋁尖晶石
8.5.2 LiAlO2和LiGaO2
第九章 發(fā)光二極管（LED）用襯底材料行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警
9.1 投資環(huán)境的分析與對(duì)策
9.2 投資機(jī)遇分析
9.3 投資風(fēng)險(xiǎn)分析
9.3.1政策風(fēng)險(xiǎn)
9.3.2經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
9.3.3技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)
9.3.4進(jìn)入退出風(fēng)險(xiǎn)
9.4 投資策略與建議
9.4.1企業(yè)資本結(jié)構(gòu)選擇
9.4.2企業(yè)戰(zhàn)略選擇
9.4.3投資區(qū)域選擇
9.5 專家投資建議
圖表目錄
圖表：LED主要產(chǎn)品構(gòu)成圖
圖表：LED制造工序
圖表：LED各產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
圖表：LED上游產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
圖表：LED中游芯片產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
圖表：LED下游封裝產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)
圖表：下游LED應(yīng)用產(chǎn)品環(huán)節(jié)
圖表：我國(guó)LED區(qū)域企業(yè)數(shù)量產(chǎn)業(yè)分布
圖表：2011年我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模
圖表：2006-2011年我國(guó)LED芯片市場(chǎng)銷售情況
圖表：我國(guó)LED封裝市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率變化
圖表：我國(guó)2011年半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表：2010-2011年規(guī)劃投資額對(duì)比情況
圖表：2011年規(guī)劃投資結(jié)構(gòu)分布情況
圖表：2011年規(guī)劃投資資金來源情況
圖表：2011年規(guī)劃投資額區(qū)域分布情況
圖表：LED 生產(chǎn)制程
圖表：LED芯片基本結(jié)構(gòu)
圖表：藍(lán)寶石作為襯底的LED芯片
圖表：采用藍(lán)寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片
圖表：藍(lán)寶石CZ 拉晶法
圖表：藍(lán)寶石晶體KY 泡生長(zhǎng)晶法
圖表：藍(lán)寶石襯底材料技術(shù)工藝路線
圖表：藍(lán)寶石襯底LED芯片成本構(gòu)成
圖表：全球LED襯底主要廠商區(qū)域分布圖
圖表：2010年藍(lán)寶石晶棒全球市占率分布狀況
圖表：2011年藍(lán)寶石晶棒全球市占率分布
圖表：2010藍(lán)寶石襯底片全球市占率分布
圖表：全球LED藍(lán)寶石襯底需求預(yù)測(cè)
圖表：藍(lán)寶石襯底的消費(fèi)市場(chǎng)占率分布
圖表：國(guó)內(nèi)主要藍(lán)寶石晶棒廠商所在位置一覽
圖表：2009-2014年國(guó)內(nèi)上游環(huán)節(jié)產(chǎn)能和全球市場(chǎng)總需求及預(yù)測(cè)
圖表：柴氏拉晶法（Czochralski method）之原理示意圖
圖表：泡生法原理示意圖
圖表：全球SiC市場(chǎng)區(qū)域分布比例
圖表：美國(guó)國(guó)防部2005年碳化硅/氮化鎵HEMT的發(fā)展計(jì)劃
圖表：硅襯底材料產(chǎn)品簡(jiǎn)單生產(chǎn)過程
圖表：Si襯底GnN基LED芯片結(jié)構(gòu)圖
圖表：早期GaAs晶體生長(zhǎng)方法
圖表：GaAS晶片市場(chǎng)規(guī)模
圖表：世界砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展
圖表：日本砷化鎵需求的發(fā)展
圖表：國(guó)內(nèi)砷化鎵單晶生產(chǎn)線工藝方法所占比例
圖表：國(guó)內(nèi)GaAs產(chǎn)品內(nèi)銷與出口比重
圖表：液相外延裝置的示意圖
圖表：MBE裝置的示意圖
圖表：分子束外延（MBE）設(shè)備
圖表：MOCVD外延裝置的示意圖
圖表：半導(dǎo)體化和物材料的禁帶寬度和晶格常數(shù)的關(guān)系
圖表：ZrB2晶體結(jié)構(gòu)示意圖
圖表：采用金屬及藍(lán)寶石兩種襯底的GaN LED器件原理圖
圖表：我國(guó)主要LED廠商產(chǎn)業(yè)鏈分布
圖表：我國(guó)LED四大分布區(qū)域及其主要特點(diǎn)
圖表：2011年國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)量、芯片產(chǎn)量及芯片國(guó)產(chǎn)率
圖表：2011年國(guó)內(nèi)LED投資項(xiàng)目一覽
圖表：各類外延襯底基片材料主要物理性能對(duì)比
圖表：各種襯底材料的綜合性能比較
圖表：藍(lán)寶石單晶片基礎(chǔ)物理參數(shù)
圖表：藍(lán)寶石產(chǎn)品類型
圖表：2英寸藍(lán)寶石單晶片規(guī)格
圖表：藍(lán)寶石襯底相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
圖表：全球LED襯底材料主要生產(chǎn)企業(yè)
圖表：2010年全球主要LED藍(lán)寶石基板生產(chǎn)廠商2英寸基板的厚度
圖表：藍(lán)寶石晶棒除了應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)的用途
圖表：2010-2011年全球前十大藍(lán)寶石襯底廠商產(chǎn)能情況
圖表：2011-2012中國(guó)本土藍(lán)寶石襯底企業(yè)15強(qiáng)
圖表：國(guó)內(nèi)藍(lán)寶石企業(yè)近期項(xiàng)目投產(chǎn)計(jì)劃
圖表：國(guó)內(nèi)研制藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐的主要企業(yè)
圖表：藍(lán)寶石單晶制備方法統(tǒng)計(jì)
圖表：藍(lán)寶石單晶主要生長(zhǎng)技術(shù)方法的比較
圖表：SiC襯底材料與硅及GaAs比較
圖表：功率器件（4H?n型）用SiC單晶的各廠商生產(chǎn)現(xiàn)況
圖表：SiC體單晶的生長(zhǎng)技術(shù)比較
圖表：國(guó)際SiC產(chǎn)品的水平
圖表：砷化鎵基本性能參數(shù)
圖表：GaAs晶體生長(zhǎng)的各種方法的分類
圖表：GaAs單晶各種生長(zhǎng)工藝方法優(yōu)缺點(diǎn)的比較
圖表：全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成
圖表：國(guó)內(nèi)主要砷化鎵單晶生產(chǎn)廠家生產(chǎn)情況
圖表：國(guó)內(nèi)砷化鎵單晶材料廠家的生產(chǎn)開發(fā)、生產(chǎn)情況
圖表：砷化鎵的外延片特性
圖表：列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較
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