電力電子器件領(lǐng)域，碳化硅大有可為

• 劉春天 2023年2月22日 來源：中研網(wǎng) 504 27
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第三代半導(dǎo)體材料是繼以硅（Si）和砷化鎵（GaAs）為代表的第一代和第二代半導(dǎo)體材料之后，迅速發(fā)展起來的寬禁帶半導(dǎo)體材料。具體是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）,從現(xiàn)階段發(fā)展來看，GaN材料更適合1000V以下電壓等級，

根據(jù)中研網(wǎng)《2023-2028年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報告》分析，第三代半導(dǎo)體：更先進的材料，更優(yōu)異的產(chǎn)品特性。第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導(dǎo)率、開關(guān)頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優(yōu)勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本SICSBD器件中，襯底價值量占比達到47%。我們認(rèn)為，襯底價格下降是推動碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的核心環(huán)節(jié)，襯底行業(yè)的發(fā)展也是未來SiC產(chǎn)業(yè)降本增效和商業(yè)化落地的核心驅(qū)動因素。

市場空間仍待開發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈成熟度逐步提升。從市場空間上來看，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計2027年市場空間將超過60億美元，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，GAGR達到34%，從細(xì)分行業(yè)需求來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長最快領(lǐng)域。從供給端來看，目前整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芟抻赟iC襯底產(chǎn)能、對襯底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸襯底轉(zhuǎn)移等因素，同時在外延膜生產(chǎn)設(shè)備基本依靠海外、厚度與摻雜濃度均勻性等因素，外延生產(chǎn)同樣存在壁壘。多因素導(dǎo)致國內(nèi)SiC市場短期仍表現(xiàn)為供不應(yīng)求局面。

海外廠商為主導(dǎo)，國內(nèi)企業(yè)正加速追趕。從行業(yè)競爭角度來看，美歐日為主導(dǎo)，海外廠商例如Wolf speed已突破8英寸節(jié)點，國內(nèi)企業(yè)還處于4、6英寸襯底導(dǎo)入階段。但是國內(nèi)企業(yè)目前正在加速追趕，在專利和市占率持續(xù)提升，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)化帶有“學(xué)研”基因極為突出，包括天岳、天科合達均為始于院校研究所。

滲透率提升市場空間打開，短期分歧不改長期趨勢。市場對SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)眾多分歧，包括長期系統(tǒng)成本與單一成本成本分歧、技術(shù)進步對產(chǎn)業(yè)鏈沖擊以及多制造環(huán)節(jié)的自主可控等，但我們認(rèn)為針對新興產(chǎn)業(yè)來說，隨著未來長期襯底價格下降，SiC器件接受度和滲透率迎提升，短期分歧不改行業(yè)長期成長。

從SiC材料適用范圍來看，碳化硅器件可廣泛應(yīng)用于高壓、高頻和大電流場景，因此十分適合光伏、新能源車和5G通信領(lǐng)域。

從電化學(xué)性質(zhì)差異來看，SiC襯底材料可以分為導(dǎo)電型襯底（電阻率區(qū)間15~30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于105Ω·cm），在不同襯底片上生長GaN外延制成HEMT等微波射頻器件，應(yīng)用于5G通信、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域。在導(dǎo)電型襯底片上生長SiC外延層，通過進一步加工制成SiCSBD，SiCMOSFET等功率器件，應(yīng)用于新能源車電驅(qū)電控、OBD和DC/DC，光伏逆變電站、軌交、電網(wǎng)和航空領(lǐng)域。

SiC的發(fā)現(xiàn)始于1824年的瑞典科學(xué)家J.J.Berzelius，但是鑒于當(dāng)時硅（Si）技術(shù)的卓越發(fā)展，SiC的研究工作沒有再進一步。直到20實際90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)了相關(guān)機構(gòu)對SiC材料的研究興趣。

由于Si和C之間的共價鍵比Si原子之間的要強，因此SiC材料要比Si材料具備更高的擊穿電場強度、載流子飽和漂移速率、惹到行和熱穩(wěn)定性。SiC具有250多種不同晶體結(jié)構(gòu)，但目前能商業(yè)化落地只有4H-SiC和6H-SiC，由于4H-SiC相比6H-SiC具備更高載流子遷移率，因此成為SiC基電力電子器件的首選。

在同電壓場景下，寬禁帶半導(dǎo)體能做到更薄和更低的電阻。相同規(guī)格的SiC基MOSFET和Si基MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低為1/200，尺寸減小為1/10；相同規(guī)格的使用SiC基MOSFET的逆變器和使用Si基IGBT相比，總能量損失小于1/4。

在OBC充電樁場景下，SiC更高的擊穿電場強度，極低的導(dǎo)通電阻使得SiC能在22kW快充條件下實現(xiàn)更少期間數(shù)量和更高運行效率。在使用SiC材料情況下，相同功率條件下，期間個數(shù)也由22只硅基IGBT減少至14只SiCMOSFET。

在22kW雙向OBC應(yīng)用場景下，對比Si基和SiC基系統(tǒng)成本和經(jīng)濟效益。

Si的系統(tǒng)成本基本上是SiC基系統(tǒng)成本的1.18倍。其中SiC基器件組成OBC充電裝時，柵極驅(qū)動、磁性DC/DC、磁性AC/DC要節(jié)能接近一半左右，Si基器件的總系統(tǒng)成本是SiC基器件的1.18倍。

從系統(tǒng)經(jīng)濟性角度來看，SiC基系統(tǒng)峰值效率能夠達到97%，而Si基系統(tǒng)峰值效率僅為95%，同時SiC基的能量密度能夠提升50%以上，具有非常強勁的性能提升。

第三代半導(dǎo)體行業(yè)加速發(fā)展，新能源產(chǎn)業(yè)鏈為增長驅(qū)動核心競爭力。盡管第三代半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)時間很早，但受制于成本和產(chǎn)業(yè)鏈不成熟等因素并未實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化落地，2019年，以GaN-on-SiC等射頻器件的推廣，對設(shè)備開發(fā)，襯底和外延技術(shù)的推動形成了正向反饋。同時Wolfspeed已完成8英寸SiC襯底片的流片，6英寸產(chǎn)業(yè)鏈大規(guī)模商業(yè)化落地已逐步成型。

同時SiC功率器件廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領(lǐng)域，未來市場增速能夠得到保證。同時國內(nèi)市場也有多家企業(yè)布局SiC產(chǎn)業(yè)，未來市場競爭格局將持續(xù)深化。

預(yù)計27年市場空間將超過60億美元。根據(jù)Yole測算，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，復(fù)合年增長率約34%。

從細(xì)分行業(yè)來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長最快領(lǐng)域。

SiC器件主要應(yīng)用在車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和主驅(qū)逆變器上。在2017年之前車載充電器主要以SiCSBD為主，而在2017年后SiCSBD和SiCMOSFET的方案已經(jīng)成熟。在2018年，DC/DC轉(zhuǎn)換器也由SiMOSFET逐漸變成以SiCMOSFET為主。

SiC功率器件主要應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率DC/DC充電器領(lǐng)域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅(qū)逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。特斯拉（Tesla）在2018年，將Model3車型的主驅(qū)動逆變器中已經(jīng)使用了SiCMOSFET，將SiIGBT替換為。

SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續(xù)航下對電池容量需求降低，以及實現(xiàn)系統(tǒng)冷卻體積和重量的優(yōu)化，有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。

SiC功率器件主要應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率DC/DC充電器領(lǐng)域。隨著未來800V電壓平臺推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機控制器的主驅(qū)逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場空間巨大。

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