美光科技于1978年在美國創(chuàng)立,作為全球最大的半導(dǎo)體存儲及影像產(chǎn)品制造商之一,其主營業(yè)務(wù)包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等,2022年美光科技在全球DRAM市場以25%市占率排名第三,在全球NAND市場以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設(shè)計
1、三星電子:全球最大存儲芯片供應(yīng)商,市場份額長年穩(wěn)居首位
三星電子作為全球領(lǐng)先的電子企業(yè),業(yè)務(wù)涵蓋消費電子、IT和移動通信、設(shè)備解決方案等,尤其是在DRAM和NANDFlash半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域,三星電子長期穩(wěn)居全球第一的位置,據(jù)TrendForce數(shù)據(jù),2022年三星在DRAM和NAND市場全球市占率分別達43%和33%,是全球存儲芯片行業(yè)最核心的供應(yīng)商。三星電子成立于1969年,于1984年開發(fā)了256KbDRAM,1992年成功研發(fā)出世界首個64MbDRAM,1999年開發(fā)出首款1GbNAND閃存,2013年成功開發(fā)3DV-NAND技術(shù),2018年量產(chǎn)LPDDR5DRAM,當前三星的10nm級工藝和極紫外光刻(EUV)技術(shù)已經(jīng)開發(fā)出了大容量512GBDDR5內(nèi)存模塊,同時,其第8代V-NAND內(nèi)存層數(shù)已達236層,公司存儲技術(shù)處于全球領(lǐng)先位置。
在整個存儲芯片發(fā)展歷程中,三星電子通過多次逆向投資實現(xiàn)市場份額不斷提升。早在20世紀80年代,在DRAM市場低迷、價格迅速下跌時,英特爾DRAM業(yè)務(wù)虧損嚴重退出市場,日本企業(yè)也大幅縮減資本開支,而三星通過采用逆向投資,不斷擴大產(chǎn)能,促使其在20世紀90年代一舉成為全球第一大存儲芯片供應(yīng)商;隨后在1993年全球半導(dǎo)體市場開始轉(zhuǎn)弱時,三星繼續(xù)采取逆周期投資策略投資建設(shè)8英寸DRAM產(chǎn)線;2008年,金融危機爆發(fā)導(dǎo)致DRAM價格崩盤,三星再次進行逆周期投資,大幅擴張存儲芯片業(yè)務(wù),行業(yè)虧損也因此進一步加劇,導(dǎo)致后續(xù)幾年奇夢達和爾必達都相繼宣布破產(chǎn),三星的龍頭地位得到持續(xù)夯實。
2、SK海力士:全球知名存儲龍頭,AI存儲領(lǐng)域先行者
SK海力士為全球領(lǐng)先的存儲龍頭企業(yè),公司致力于生產(chǎn)DRAM、NANDFlash和CIS非存儲器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品,在韓國、中國無錫和重慶共設(shè)有四個生產(chǎn)基地,2022年SK海力士以28%市占率在全球DRAM市場排名第二,以13%市場份額在全球NANDFlash市場排名第四。1984年SK海力士首次成功試產(chǎn)16KbSRAM,1999年收購LG半導(dǎo)體,2004年成功研發(fā)NANDFlash產(chǎn)品,2013年首次研發(fā)全球首款TSV技術(shù)HBM,2019年成為業(yè)界首次成功研發(fā)出128層4DNAND的企業(yè),現(xiàn)階段,SK海力士成功開發(fā)出全球首款12層堆疊的HBM3DRAM新產(chǎn)品,其DDR5采用了EUV光刻的1αnm技術(shù),NAND方面,2022年公司成功研發(fā)238層4DNAND閃存,2023年展示了其最新300層3DNAND產(chǎn)品原型,預(yù)計將在2024-2025年期間上市。
FY23Q2營收環(huán)比大增,短期凈利潤承壓。SK海力士發(fā)布2023財年第二季度財報,F(xiàn)Y23Q2公司實現(xiàn)營收7.31萬億韓元,同比-47%,環(huán)比+44%,營業(yè)利潤虧損2.88萬億韓元,凈利潤虧損2.99萬億韓元。分產(chǎn)品來看,DRAM收入占比達62%,位元增長率環(huán)比+30%,ASP實現(xiàn)環(huán)比個位數(shù)增長;NAND收入占比達30%,位元環(huán)比增長50%,ASP環(huán)比下降10%。
3、美光科技:全球最大存儲芯片供應(yīng)商之一,研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢市場突出
美光科技于1978年在美國創(chuàng)立,作為全球最大的半導(dǎo)體存儲及影像產(chǎn)品制造商之一,其主營業(yè)務(wù)包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等,2022年美光科技在全球DRAM市場以25%市占率排名第三,在全球NAND市場以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設(shè)計,并于1981年推出首款64KDRAM產(chǎn)品,1984年推出世界上最小的256KDRAM,2021年美光推出業(yè)界首個1α節(jié)點DRAM,2022年公司開始向其客戶運送其1β節(jié)點DRAM產(chǎn)品樣品,率先進入1β階段,其EUV技術(shù)預(yù)計將于2024年使用。NAND方面,公司于2020年11月便實現(xiàn)全球首款176層3DNAND量產(chǎn),2022年實現(xiàn)232層NAND產(chǎn)品出貨。
FY23Q3單季營收高于指引中值,毛利率環(huán)比改善。FY23Q3單季度美光科技實現(xiàn)營收37.5億美元,同比-57%,環(huán)比+1.6%,盡管公司依舊虧損19億美元,但虧損幅度進一步收窄,公司GAAP毛利率為-17.8%,Non-GAAP毛利率為-16%,均高于Q2原指引區(qū)間。拆分業(yè)務(wù)板塊來看,F(xiàn)Y23Q3公司DRAM業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收27億美元,同比-57%,環(huán)比-2%,位元出貨量環(huán)比+10%,ASP環(huán)比-10%;NAND業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收10億美元,同比-56%,環(huán)比+14%,位元出貨量環(huán)比+30%,ASP環(huán)比下降15%。展望FY23Q4,公司預(yù)計營收將同比下滑44%-38%至37-41億美元,GAAP毛利率將環(huán)比改善至-15%至-10%區(qū)間,對應(yīng)Non-GAAP毛利率為-13%至-8%。
國家網(wǎng)信辦對美光科技開展網(wǎng)絡(luò)安全審查。2023年3月,國家網(wǎng)信辦發(fā)布消息,為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全,防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風險,維護國家安全,對美光科技在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡(luò)安全審查。經(jīng)審查發(fā)現(xiàn),美光科技的產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡(luò)安全隱患,對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風險,按照相關(guān)規(guī)定,國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施運營者應(yīng)停止采購美光科技的產(chǎn)品。本次審查事件將影響美光公司在中國市場的銷售,由于美國科技限制等原因,美光中國市場收入占總收入比例由2018年的58%下降至2022年的11%。我們認為,此次審查事件彰顯出國家對半導(dǎo)體安全可控以及信創(chuàng)工程的高度重視,將進一步推動國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
4、兆易創(chuàng)新:全球NORFlash龍頭,利基型DRAM拓展有序
兆易創(chuàng)新成立于2005年4月,總部設(shè)于北京,公司主營業(yè)務(wù)分為存儲器、微控制器和傳感器三大板塊,據(jù)公司官網(wǎng)顯示,公司在存儲領(lǐng)域公司是全球排名第一的無晶圓廠Flash供應(yīng)商,在NORFlash市場占有率全球第三、中國大陸第一,累計出貨量近212億顆。
NORFlash全球領(lǐng)先,DRAM、NANDFlash拓展有序。公司NORFlash技術(shù)和市場處于全球領(lǐng)先位置,512Kb-2Gb全容量覆蓋市場不同需求,2022年工業(yè)和汽車領(lǐng)域穩(wěn)步提升,車規(guī)產(chǎn)品收入同比增加80%,車規(guī)產(chǎn)品累計出貨量達1億顆,消費市場以中高端客戶為主;在NANDFlash方面,38nm和24nm兩種制程產(chǎn)品實現(xiàn)全面量產(chǎn),容量覆蓋1-8Gb,相關(guān)產(chǎn)品已通過車規(guī)級認證;DRAM方面,公司積極切入DRAM利基市場,并已量產(chǎn)1X節(jié)點DDR4、DDR3L產(chǎn)品。
多重因素導(dǎo)致業(yè)績階段性承壓,研發(fā)投入持續(xù)增加鞏固領(lǐng)先地位。受全球經(jīng)濟下行、地緣政治沖突等多重因素影響,2022年公司實現(xiàn)營收81億元,同比減少4.5%,其中,存儲芯片業(yè)務(wù)實現(xiàn)營收48億,占營收比例達59%,歸母凈利潤21億元,同比減少12%,盡管公司業(yè)績短期承壓,但其持續(xù)加大研發(fā)投入,2022年公司研發(fā)費用達9億元,同比增加11%,研發(fā)費用率達12%,公司技術(shù)人員占比約72%。
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2023-2028年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預(yù)測報告
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