DRAM存儲器價格飆升 2021年國產(chǎn)DRAM上市公司現(xiàn)狀分析

• 2021年6月30日 HuangJiang來源：新浪 819 50
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DRAM(主要包括PC內(nèi)存、移動式內(nèi)存、服務器內(nèi)存)價格一路飆升。分析機構指出，DRAM Q2報價漲幅已進入全年峰值，從4月至6月累計漲幅將達到20-25%。

DRAM存儲器價格飆升 2021年國產(chǎn)DRAM生產(chǎn)公司量產(chǎn)現(xiàn)狀分析

據(jù)悉，隨著智能手機、服務器等終端的需求量激增，終端產(chǎn)品需求旺盛、數(shù)據(jù)中心回溫帶動，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。DRAM(主要包括PC內(nèi)存、移動式內(nèi)存、服務器內(nèi)存)價格一路飆升。分析機構指出，DRAM Q2報價漲幅已進入全年峰值，從4月至6月累計漲幅將達到20-25%。存儲大廠美光CEO看高產(chǎn)業(yè)存儲需求，指出NAND和DRAM供給面緊俏態(tài)勢將延續(xù)至2022年。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示，受今年上半年各終端買方積極備庫存的帶動，使存儲器原廠庫存偏低，目前DRAM原廠平均庫存僅3~4周，NAND Flash供應商平均庫存則為4~5周。存儲器供應吃緊，上半年DRAM漲幅達20%。該機構預估，第三季整體DRAM價格將續(xù)漲約3~8%，NAND Flash則受enterprise SSD及wafer需求攀升，整體價格季漲幅將由原先的3~8%，上調(diào)至5~10%。

6月29日，有消息稱韓國存儲器巨頭SK 海力士將針對 2 月份才落成的 M16 新晶圓廠投資 8000 億韓元 (約人民幣 45億元)，用以采購包含 EUV 在內(nèi)的生產(chǎn)設備。該工廠預計在今年年底前達到每月量產(chǎn) 1.8 萬片 12 寸晶圓的目標。

與此同時，我國在DRAM芯片領域不斷取得突破。2020年5月，多款搭載長鑫存儲DRAM芯片的內(nèi)存條上市，成功打破國外三大廠商的長期壟斷;此后不久，世界首款基于紫光國芯異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)技術的超高帶寬、超低功耗的數(shù)據(jù)分析芯片成功量產(chǎn)上市。

中國存儲芯片市場規(guī)模已從2015年的45.2億美元增長至2020年的183.6億美元(約1173億元人民幣)，預計2024年將突破500億美元。但是我國存儲芯片行業(yè)內(nèi)中國企業(yè)參與度很低，國產(chǎn)化率不足5%。為此，我國出臺了一系列產(chǎn)業(yè)政策，重點推進存儲行業(yè)內(nèi)的項目。

上市公司中，兆易創(chuàng)新與合肥長鑫發(fā)揮優(yōu)勢互補，于 2020 年 4 月簽署了《框架采購協(xié)議》《代工服務協(xié)議》及《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作協(xié)議》日常交易框架協(xié)議，推動雙方在DRAM產(chǎn)品銷售、代工及工程端的緊密合作;

安集科技的拋光液產(chǎn)品在中芯國際、長江存儲等大客戶均規(guī)模放量，興業(yè)證券此前預計，公司今年也將在合肥長鑫快速上量，后者有望成為第三大客戶;

存儲芯片市場集中度較高，市場中DRAM產(chǎn)品占比約53%，NAND則約為42%。據(jù)川財證券數(shù)據(jù)顯示，我國存儲芯片市場規(guī)模已從2015年的45.2億美元增長至2020年的183.6億美元，預計2024年將突破500億美元。

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