隨著5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件的需求將持續(xù)攀升。半導(dǎo)體設(shè)備作為推升半導(dǎo)體器件制造的基石,有望迎來新一輪發(fā)展機遇;而作為半導(dǎo)體設(shè)備的重要組成部分,刻蝕設(shè)備的需求也將水漲船高。
隨著5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體器件的需求將持續(xù)攀升。半導(dǎo)體設(shè)備作為推升半導(dǎo)體器件制造的基石,有望迎來新一輪發(fā)展機遇;而作為半導(dǎo)體設(shè)備的重要組成部分,刻蝕設(shè)備的需求也將水漲船高。
刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟,對于器件的電學(xué)性能十分重要。其利用化 學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地 復(fù)制掩模圖形。
按照刻蝕工藝劃分,刻蝕主要分為干法刻蝕以及濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕,利用等離子體與表面薄膜反應(yīng),形成揮發(fā)性物質(zhì),或者直接轟擊薄膜表面使之被腐 蝕的工藝。濕法刻蝕工藝主要是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕,該刻蝕方法會導(dǎo)致材料的橫向縱向同時腐蝕,會導(dǎo)致一定的線寬損失。干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對主流地位,市場占比約 90%。
刻蝕機產(chǎn)業(yè)鏈中,上游為刻蝕機的四大組成部分,主要包括預(yù)真空室、刻蝕腔體、供氣系統(tǒng)及真空系統(tǒng);中游為刻蝕機的制造,刻蝕技術(shù)主要有兩種,傳統(tǒng)濕法刻蝕技術(shù)及現(xiàn)代干法刻蝕技術(shù);下游為刻蝕機的應(yīng)用,主要用來制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池及其他微機械制造。
半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場主要由美日廠商主導(dǎo)。半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域長期由海外龍頭壟斷,根據(jù)統(tǒng)計,全球刻蝕企業(yè)前三大分別是泛林半導(dǎo)體(Lam Research)、東京電子(TEL)、應(yīng) 用材料(AMAT),全球市占率合計 91%,其中泛林半導(dǎo)體以45%的市場份額遙遙領(lǐng)先,東京電子和應(yīng)用材料則分別占據(jù) 28%和 18%的市場份額。
而國內(nèi)的刻蝕設(shè)備企業(yè)主要有中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體和中電科。其中,中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體均以生產(chǎn)干法刻蝕設(shè)備為主,中電科除了生產(chǎn)干法刻蝕設(shè)備以外還生產(chǎn)濕法刻蝕設(shè)備。除上述企業(yè)外,國內(nèi)還有創(chuàng)世微納、芯源微和華林科納等企業(yè)生產(chǎn)刻蝕設(shè)備。
刻蝕設(shè)備有望率先完成國產(chǎn)替代。從國內(nèi)市場來看,刻蝕機尤其是介質(zhì)刻蝕機,是我國最具優(yōu)勢 的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,也是國產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。目前我國主流設(shè)備中,去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備、清洗設(shè)備等的國產(chǎn)化率均已經(jīng)達(dá)到20%以上。
全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場快速發(fā)展,2025 年有望達(dá)到155 億美元。2013 年,全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為 40 億美元,隨著閃存技術(shù)突破,存儲市場拉動刻蝕設(shè)備需求明顯增大,至 2019 年市場 規(guī)模突破百億美元,達(dá)到 115 億美元。預(yù)測2025年全球刻蝕設(shè)備市場空間達(dá)到155億美元,市場空間增量主要來自于存儲制造對刻蝕設(shè)備的需求激增。
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