碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是第三代半導體材料的代表之一,SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車、工業(yè)電源等應用的推動,全球電力電子碳化硅的市場規(guī)模不斷增長。
碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是第三代半導體材料的代表之一,SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車、工業(yè)電源等應用的推動,全球電力電子碳化硅的市場規(guī)模不斷增長。
由于碳化硅的化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,如制成的高級耐火材料、脫氧劑、電熱元件硅碳棒等。
據(jù)中研產業(yè)研究院報告《2021-2025年中國碳化硅行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預測報告》分析
碳化硅產業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關器件。在SiC器件的產業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
我國2020年碳化硅導電型襯底產能約40萬片/年(約當4英寸)、外延片折合6英寸22萬片/年、器件26萬片/年;半絕緣型襯底折算4英寸產能近18萬片/年。受限于良率及技術影響,目前國內實際項目投產較為有限,實際產能開出率較低。隨著新能源汽車、5G等下游應用市場的快速起量,國內現(xiàn)有產品供給無法滿足需求,目前第三代半導體主要環(huán)節(jié)國產化率仍然較低,超過80%的產品要靠進口。
碳化硅是技術密集型行業(yè),對研發(fā)人員操作經(jīng)驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導體公司研發(fā)早于國內公司數(shù)十年,提前完成了技術積累工作。因此,國內企業(yè)存在人才匱乏、技術水平較低的困難,制約了半導體行業(yè)的產業(yè)化進程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導體產業(yè)中,行業(yè)整體處于產業(yè)化初期,中國企業(yè)與海外企業(yè)的差距明顯縮小。受益于中國5G通訊、新能源等新興產業(yè)的技術水平、產業(yè)化規(guī)模的世界領先地位,國內碳化硅器件巨大的應用市場空間驅動上游半導體行業(yè)快速發(fā)展,國內碳化硅廠商具有自身優(yōu)勢。在全球半導體材料供應不足的背景下,國際龍頭企業(yè)紛紛提出碳化硅產能擴張計劃并保持高研發(fā)投入。同時,國內本土SiC廠家加速碳化硅領域布局,把握發(fā)展機會,追趕國際龍頭企業(yè)。
2025年全球碳化硅將供不應求
三安光電董事長特別助理、北京三安光電公司總經(jīng)理陳昭亮在中國電動汽車百人會論壇上表示,2025年6寸碳化硅晶圓需求在保守與樂觀情形下分別為219和437萬片,車用碳化硅需求占比60%,保守情況下碳化硅產能缺口將達到123萬片,樂觀情況下缺口將達到486萬片,屆時全球碳化硅襯底與晶圓將出現(xiàn)供不應求的局面。
想要了解更多碳化硅行業(yè)的發(fā)展前景,請查閱《2021-2025年中國碳化硅行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預測報告》。
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2021-2025年中國碳化硅行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預測報告
碳化硅研究報告對行業(yè)研究的內容和方法進行全面的闡述和論證,對研究過程中所獲取的資料進行全面系統(tǒng)的整理和分析,通過圖表、統(tǒng)計結果及文獻資料,或以縱向的發(fā)展過程,或橫向類別分析提出論點...
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