2024年IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及重點企業(yè)經(jīng)營情況

• 李基錦 2024年1月26日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1396 92
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在電力電子領域，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種至關重要的功率半導體器件。它結合了雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOS)的優(yōu)點，實現(xiàn)了電壓驅(qū)動式控制。與傳統(tǒng)的MOSFET器件或模組相比，IGBT在承受高電壓方面具有顯著優(yōu)勢。通常，MOSFET器件或模組的耐受電

在電力電子領域，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種至關重要的功率半導體器件。它結合了雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOS)的優(yōu)點，實現(xiàn)了電壓驅(qū)動式控制。與傳統(tǒng)的MOSFET器件或模組相比，IGBT在承受高電壓方面具有顯著優(yōu)勢。通常，MOSFET器件或模組的耐受電壓范圍在20-800V之間，而IGBT能夠承受高達1000V以上的高電壓。這意味著在需要高電壓和低導通壓降的應用場景中，IGBT成為理想的選擇。

由于其獨特的性能，IGBT在電子領域中廣泛應用于各種場景，如電機驅(qū)動、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等。在電動汽車和風電領域，IGBT更是發(fā)揮著至關重要的作用，因為它們需要在高電壓和高溫環(huán)境下工作，同時保持高效和穩(wěn)定的性能。

然而，隨著技術的不斷進步和應用需求的多樣化，IGBT也面臨著新的挑戰(zhàn)和機遇。為了更好地適應各種應用場景，未來的研究和發(fā)展將更加注重提高IGBT的性能、可靠性和穩(wěn)定性。通過不斷優(yōu)化材料、結構和工藝，我們有望實現(xiàn)更高效率、更低能耗和更長壽命的IGBT器件，為未來的電力電子系統(tǒng)和智能電網(wǎng)提供更可靠的支撐。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》分析

IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策背景

《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》是我國在“十四五”時期的政策規(guī)劃文件，具有極其重要的指導意義。在這份文件中，國家明確指出要聚焦事關國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領域，實施戰(zhàn)略性的科學計劃和工程。作為國家重點鼓勵和支持的產(chǎn)業(yè)之一，新型功率半導體器件行業(yè)在推動節(jié)能減排、促進電力電子技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面發(fā)揮著至關重要的作用。

為了支持新型電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化，國家發(fā)改委等有關部門已經(jīng)出臺了一系列的資金補貼計劃。這些政策的出臺，不僅為功率半導體器件行業(yè)的發(fā)展提供了強有力的支持，還進一步推動了行業(yè)的技術進步。隨著國家產(chǎn)業(yè)政策的不斷加強和優(yōu)化，未來功率半導體器件行業(yè)將形成更多先進技術的自有知識產(chǎn)權，并進一步優(yōu)化國產(chǎn)器件的產(chǎn)品結構。

IGBT產(chǎn)業(yè)鏈結構分析

在上游原材料供應環(huán)節(jié)，主要包括硅晶圓、光刻板、引線框架以及新型寬禁帶材料等關鍵部件，這些都是確保IGBT器件性能和品質(zhì)的重要基礎。

進入產(chǎn)業(yè)鏈的中游，我們看到了IGBT產(chǎn)品的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和封裝等核心工序。這些環(huán)節(jié)對于技術的要求極高，直接決定了IGBT產(chǎn)品的最終性能和質(zhì)量。在這一領域，功率分立器件、功率IC和功率模組是三大主要產(chǎn)品類別，它們廣泛應用于各種電力電子設備中。目前，英飛凌、三菱、富士電機、安森美、斯達半導、士蘭微、時代電氣等企業(yè)是專業(yè)從事IGBT產(chǎn)品研發(fā)設計和銷售的主要力量，它們在推動IGBT技術進步和市場拓展方面發(fā)揮著重要作用。

在產(chǎn)業(yè)鏈的下游，IGBT器件被廣泛應用于消費電子、家用電器、軌道交通、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、軍工航天以及新能源產(chǎn)業(yè)鏈等眾多領域。這些應用場景對于IGBT的性能和穩(wěn)定性提出了不同的要求，進一步推動了IGBT技術的多樣化和專業(yè)化發(fā)展。隨著科技的不斷進步和市場需求的持續(xù)增長，IGBT產(chǎn)業(yè)鏈的未來充滿了無限的可能和機遇。

全球及中國IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

在全球范圍內(nèi)，IGBT已成為發(fā)展最快的功率半導體器件之一。據(jù)YOLE數(shù)據(jù)顯示，2022年全球IGBT市場規(guī)模約為68億美元，預計到2026年將增長至84億美元，顯示出強勁的增長勢頭。

中國作為全球最大的IGBT市場，其規(guī)模約占全球的40%。隨著新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領域的快速發(fā)展，中國IGBT市場規(guī)模持續(xù)擴大，預計到2025年將達到522億元。

近年來，中國政府對IGBT行業(yè)給予了高度關注和政策支持。國家陸續(xù)出臺了一系列產(chǎn)業(yè)政策，鼓勵行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營環(huán)境。在政策引導和市場需求增長的雙重驅(qū)動下，中國IGBT行業(yè)取得了顯著進展。

國內(nèi)企業(yè)如斯達半導、士蘭微、比亞迪、時代電氣等在IGBT領域取得了重要突破，逐步實現(xiàn)國產(chǎn)化。隨著技術的不斷進步和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，中國IGBT自給率逐年提高，預計到2023年將達到32.9%。

然而，盡管中國IGBT行業(yè)取得了一定的成績，但與國際領先企業(yè)相比，仍存在一定的差距。因此，加強技術創(chuàng)新、提升產(chǎn)品質(zhì)量、擴大市場份額仍是中國IGBT行業(yè)的重要發(fā)展方向。

IGBT行業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營情況

三安光電。作為國內(nèi)領先的全色系超高亮度發(fā)光二極管外延片及芯片生產(chǎn)廠商，三安光電在LED芯片行業(yè)擁有較高的市場份額。該公司產(chǎn)品性能指標居國際先進水平，廣泛應用于顯示、背光、汽車照明等領域。近年來，三安光電不斷加大研發(fā)投入，拓展新的應用市場，加速推進Mini LED、Micro LED等新型顯示技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進程。

華燦光電是國內(nèi)領先的LED芯片供應商之一，其產(chǎn)品在照明、顯示和背光等領域有著廣泛應用。該公司擁有從外延片生長、芯片制造到封裝測試完整的產(chǎn)業(yè)鏈，具備強大的研發(fā)和生產(chǎn)能力。華燦光電致力于推進新技術和新產(chǎn)品的研發(fā)，以不斷滿足市場變化和客戶需求。

兆馳股份是一家專業(yè)從事LED芯片制造的龍頭企業(yè)，產(chǎn)品覆蓋全色系，具有高亮度、高可靠性等優(yōu)點。該公司注重技術創(chuàng)新和品質(zhì)管理，擁有先進的生產(chǎn)設備和工藝技術，能夠為客戶提供高品質(zhì)的LED芯片產(chǎn)品。兆馳股份的市場份額在國內(nèi)排名前列，產(chǎn)品遠銷國內(nèi)外市場。

乾照光電是國內(nèi)最早進入全色系超高亮度發(fā)光二極管外延片及芯片制造領域的企業(yè)之一，產(chǎn)品線覆蓋紅、黃、綠、藍等全色系。該公司具有較強的研發(fā)實力和自主創(chuàng)新能力，在全彩芯片制造技術方面處于國內(nèi)領先地位。乾照光電的產(chǎn)品廣泛應用于背光、顯示、照明等領域，并已逐步拓展到Mini LED、Micro LED等新興領域。

這些企業(yè)在技術研發(fā)、產(chǎn)品創(chuàng)新、市場拓展等方面不斷努力，推動著IGBT行業(yè)的發(fā)展和進步。同時，這些企業(yè)也面臨著市場競爭加劇、技術更新?lián)Q代迅速等挑戰(zhàn)，需要不斷調(diào)整戰(zhàn)略、加強合作、拓展新的應用領域，以保持競爭優(yōu)勢和持續(xù)發(fā)展。

了解更多本行業(yè)研究分析詳見中研普華產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。同時, 中研普華產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)招商、產(chǎn)業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、IPO募投可研、IPO業(yè)務與技術撰寫、IPO工作底稿咨詢等解決方案。

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