西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤

• 2018年10月10日 ZhangHongYuan來源：新浪科技綜合 292 11
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新款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術、先進的UFS 2.1接口技術及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦設備提供卓越的數(shù)據(jù)性能，而且即使設備接近滿負荷運行，也能實現(xiàn)出色的移動

10月9日，西部數(shù)據(jù)公司推出了96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(EFD)-西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321，旨在加速實現(xiàn)人工智能(AI)、增強現(xiàn)實(AR)、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設備的高要求應用。

新款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術、先進的UFS 2.1接口技術及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦設備提供卓越的數(shù)據(jù)性能，而且即使設備接近滿負荷運行，也能實現(xiàn)出色的移動體驗。

如今移動設備已成為我們?nèi)粘；ヂ?lián)生活的中心。隨著面向5G速度、4K視頻、AR和VR的新興功能不斷提升智能手機、平板電腦和筆記本電腦的能力，用戶對設備的期望，以及支持這些日益豐富用戶體驗的技術需求也在水漲船高。西部數(shù)據(jù)公司的3D NAND技術使得用戶能夠獲得更高的內(nèi)置存儲容量，從而支持其整個智能手機生命周期對數(shù)據(jù)的需求。同時，在傳統(tǒng)存儲架構下，設備的性能通常會隨著容量的消耗而逐漸降低，而西部數(shù)據(jù)公司的iNAND MC EU321 EFD專門用于高性能運轉的維持，即使用到整個容量的98%都有巔峰的寫入性能。

隨著更多以數(shù)據(jù)為中心的功能出現(xiàn)在手機和計算設備上，預計移動數(shù)據(jù)的數(shù)量、速度和種類將在未來幾年內(nèi)將有所飆升。具有多個高分辨率相機和AI輔助攝影功能的移動攝影和視頻為用戶提供了用于創(chuàng)建和共享其數(shù)字內(nèi)容的新功能;5G網(wǎng)絡將實現(xiàn)高速的下載和傳輸速度，從而改變消費者與其設備和內(nèi)容交互的方式;終端移動設備上5G支持的AI提供了實時獲取、處理和學習數(shù)據(jù)的能力。

分析機構Counterpoint Research指出，NAND閃存容量將在2017-2021迎來健康的28%復合年增長率。這個增長主要來自成熟的平板用戶升級到大屏、高容量、并具有更強大功能和連接性的產(chǎn)品，因為娛樂和移動生產(chǎn)力講成為主要的應用場景。

這些數(shù)據(jù)密集型的應用程序都需要更高的容量和速度，以期為消費者提供理想的移動設備體驗。2018年自然年上半年，智能手機總出貨的內(nèi)置存儲容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%，相當于每臺手機51GB ，從而增加了對更高容量和更智能存儲技術的需求。

iNAND MC EU321是iNAND系列的新成員，該系列十多年來一直受到全球所有主要智能手機和平板制造商的信賴。iNAND MC EU321 EFD可提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能，從而實現(xiàn)卓越的用戶體驗。西部數(shù)據(jù)公司目前正在就容量高達256GB 的存儲解決方案在OEM中開展測試。

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