離子注入設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及市場規(guī)模分析

• 2022年2月14日 ZouJunRong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1474 98
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在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的摻雜技術(shù)，它以離子加速的方式將摻雜元素注入到半導(dǎo)體晶片內(nèi)部，改變其導(dǎo)電特性并最終形成所需的器件結(jié)構(gòu)。離子注入技術(shù)是一種純凈的表面處理技術(shù)，它無需在高溫環(huán)境下進行，故不會改變加工工件的外形和表面光潔度。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院公布《2021-2026年離子注入設(shè)備市場發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查及供需格局分析預(yù)測報告》顯示

在電子工業(yè)中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術(shù)，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當(dāng)代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速(對Si，電壓≥105 V)，獲得很大動能的雜質(zhì)離子即可以直接進入半導(dǎo)體中;同時也會在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。

離子注入的優(yōu)點是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質(zhì)的再擴散等)，同時可實現(xiàn)自對準(zhǔn)技術(shù)(以減小電容效應(yīng))。

在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時，有光刻膠保護的地方，離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實現(xiàn)摻雜。因此，用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束。

離子注入機也是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，半導(dǎo)體為改變載流子濃度和導(dǎo)電類型需要對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜，而離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制，使得離子注入在半導(dǎo)體制造中被廣泛應(yīng)用。

全球離子注入機的領(lǐng)先企業(yè)主要分布在中國、美國和日本，其中，中國大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機行業(yè)的龍頭企業(yè)，凱世通在光伏離子注入機方面遙遙領(lǐng)先。而美國則擁有近乎壟斷IC離子注入機市場的應(yīng)用材料，以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業(yè)。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機知名廠商。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模已經(jīng)達到710.6億美元，同比上升18.93%。預(yù)計2021年原始設(shè)備制造商的半導(dǎo)體制造設(shè)備全球銷售總額將達到1030億美元的新高，比2020年的710億美元的歷史記錄增長44.7%。預(yù)計2022年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場總額將擴大到1140億美元。

離子注入設(shè)備行業(yè)研究報告旨在從國家經(jīng)濟和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析離子注入設(shè)備未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢，挖掘離子注入設(shè)備行業(yè)的市場潛力，基于重點細分市場領(lǐng)域的深度研究，提供對產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場競爭、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個角度市場變化的生動描繪，清晰發(fā)展方向。

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