2024年半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局?及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

• 郭夢(mèng) 2024年5月11日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 800 48
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功率半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體器件的重要組成部分，是電力電子應(yīng)用裝備的基礎(chǔ)和核心器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車(chē)電子和汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域，尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無(wú)法替代的關(guān)鍵作用。

功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車(chē)電子和汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域，尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無(wú)法替代的關(guān)鍵作用，其主要目標(biāo)是提高能量轉(zhuǎn)換率、減少功率損耗、長(zhǎng)時(shí)間的無(wú)故障工作。

2024年半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

功率半導(dǎo)體器件是國(guó)民經(jīng)濟(jì)中各行業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)元器件，其技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓寬既能夠促進(jìn)工業(yè)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)，也為居民生活帶來(lái)更多便利和舒適。我國(guó)經(jīng)濟(jì)總水平穩(wěn)步上升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整有序開(kāi)展，居民對(duì)生活質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，為行業(yè)創(chuàng)造了巨大的盈利空間。行業(yè)內(nèi)優(yōu)秀企業(yè)依托自主創(chuàng)新能力提高產(chǎn)品附加值，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)持續(xù)發(fā)展這一穩(wěn)固的基礎(chǔ)上不斷提升盈利水平。

從功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是原材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)，包括晶圓、光刻機(jī)、引線(xiàn)框架、寬禁帶材料及其他輔助材料的供應(yīng)。中游主要是芯片制造、設(shè)計(jì)、封裝等生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，產(chǎn)品包括功率IC、分立器件和模塊，其中IGBT和MOSFET在功率分立器件中價(jià)值量最大。下游主要為應(yīng)用市場(chǎng)，功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，由于國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，相關(guān)專(zhuān)業(yè)技術(shù)人才缺乏，設(shè)計(jì)及工藝基礎(chǔ)薄弱，主要生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及核心原材料主要依靠進(jìn)口，國(guó)內(nèi)企業(yè)自主生產(chǎn)的產(chǎn)品系列化程度、規(guī)模與國(guó)外先進(jìn)企業(yè)存在較大差距。但近年來(lái)，少數(shù)國(guó)內(nèi)企業(yè)掌握了IGBT芯片和FRED芯片在內(nèi)的功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化的設(shè)計(jì)、制造技術(shù)并已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，功率半導(dǎo)體芯片和模塊產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)打破了國(guó)外廠(chǎng)商在我國(guó)市場(chǎng)上的壟斷地位，迫使國(guó)外廠(chǎng)商相應(yīng)產(chǎn)品不斷降價(jià)，為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件下游應(yīng)用企業(yè)參與國(guó)內(nèi)及國(guó)際市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)創(chuàng)造了有利條件。

據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2024-2029年半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》分析

從整體市場(chǎng)份額來(lái)看，目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者仍主要為國(guó)外企業(yè)，如英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)、賽米控、安森美等，占據(jù)了國(guó)內(nèi)絕大部的市場(chǎng)份額，國(guó)內(nèi)企業(yè)主要包括斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、揚(yáng)杰科技、華微電子、臺(tái)基股份等。

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)占比情況

目前功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比最多的是功率IC，以54.3%的占比成為功率半導(dǎo)體第一大細(xì)分市場(chǎng)，功率IC包括的電源管理芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、AC/DC轉(zhuǎn)換器等;MOSFET、功率二極管、IGBT占比分別為16.4%、14.8%、12.4%。

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2024年將達(dá)到522億美元。且中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，貢獻(xiàn)了約40%的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，到2024年國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到35億美元。

功率半導(dǎo)體器件行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)和支持的產(chǎn)業(yè)，特別是中美貿(mào)易摩擦發(fā)生以來(lái)，關(guān)鍵元器件領(lǐng)域的自主可控顯得愈發(fā)重要。因此國(guó)家近年來(lái)制訂了一系列政策鼓勵(lì)、支持和促進(jìn)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其中，《“十四五”規(guī)劃》提出，集中優(yōu)勢(shì)資源攻關(guān)關(guān)鍵元器件零部件等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)。未來(lái)在政策的護(hù)航之下，功率半導(dǎo)體行業(yè)有望駛?cè)氚l(fā)展快速道。

行業(yè)政策

近年來(lái)，為了推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展，國(guó)家有關(guān)部門(mén)陸續(xù)出臺(tái)一系列相關(guān)政策，支持、鼓勵(lì)行業(yè)的發(fā)展，而受益于國(guó)家和地方政府的鼓勵(lì)政策，國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)與充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局有望被重塑，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。

在市場(chǎng)規(guī)模方面，隨著電動(dòng)汽車(chē)、充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在不斷擴(kuò)大。據(jù)預(yù)測(cè)，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在未來(lái)幾年內(nèi)將持續(xù)增長(zhǎng)。此外，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比最多的是功率IC，包括電源管理芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、AC/DC轉(zhuǎn)換器等。

半導(dǎo)體功率器件行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

市場(chǎng)需求增長(zhǎng)：隨著新能源汽車(chē)、可再生能源、智能電網(wǎng)等行業(yè)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)。特別是在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，隨著政策推動(dòng)和消費(fèi)者認(rèn)知的提高，新能源汽車(chē)的滲透率不斷提高，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將持續(xù)增加。此外，智能電網(wǎng)、風(fēng)電、光伏等可再生能源領(lǐng)域也對(duì)功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)生了大量的需求。

國(guó)產(chǎn)化加速：隨著國(guó)家有關(guān)部門(mén)出臺(tái)的一系列支持政策，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程正在加速。國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)等方面不斷提升自身實(shí)力，逐步縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。這將有助于提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求。

未來(lái)隨著新材料、新工藝和新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體功率器件的性能將得到進(jìn)一步提升。例如，新型寬帶隙半導(dǎo)體材料(如SiC、GaN等)的應(yīng)用將使得功率半導(dǎo)體器件具有更高的電場(chǎng)強(qiáng)度、高溫穩(wěn)定性、高導(dǎo)電性和高抗輻射性，從而滿(mǎn)足高性能、高可靠性的需求。此外，多電平技術(shù)和新型器件結(jié)構(gòu)、工藝的應(yīng)用也將推動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的效率和性能提升。

欲知更多關(guān)于半導(dǎo)體功率器件行業(yè)的市場(chǎng)數(shù)據(jù)及未來(lái)投資前景規(guī)劃，可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2024-2029年半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告》。

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  2024-2029年半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析報(bào)告

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