存儲元器件漲價：需求暴增產(chǎn)能不足 還是供應(yīng)商的陰謀？

　　從2016年第二季度開始，以SSD固態(tài)硬盤為代表，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的整個內(nèi)存行業(yè)，開始緩慢漲價。進入2017年后，漲價的勢頭并沒有停止，整個存儲行業(yè)反而掀起了新一輪的大幅漲價潮。2015年~2016年上半年，120G/240G的SSD價格一度降至299元/399元，而512G的SSD也有不少低至599元。不過，好景不長，自2016年下半年開始，SSD的價格出現(xiàn)全面上調(diào)，漲幅超過市場預(yù)期。近日，記者通過線下走訪十多家銷售商家以及采訪業(yè)內(nèi)人士了解到，固態(tài)硬盤等存儲產(chǎn)品大幅漲價的原因是供需失衡。但也有部分業(yè)內(nèi)人士認為，此輪漲價背后并非完全由市場供需決定，也不排除部分NAND Flash供應(yīng)商有意為之的可能。

　　供應(yīng)端：主要廠商暫無增產(chǎn)計劃

　　從供應(yīng)端看，目前全球范圍內(nèi)從事NAND閃存顆粒的廠商有很多，但能夠有市場定價能力的只有六家，他們分別是三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、英特爾(Intel)、海力士(SKhynix)、美光(Micron)和閃迪(SanDisk)，這些企業(yè)很多在中國有生產(chǎn)企業(yè)，幾乎壟斷了全球大部分閃存市場。從行業(yè)看，今年三星、東芝、美光、海力士等主要的內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而是進行制程轉(zhuǎn)換，目的是將主要產(chǎn)能從2D NAND制程轉(zhuǎn)向生產(chǎn)3D NAND。2017年，三星新工廠Fab 17和Fab 18都將投入V-NAND生產(chǎn)，3D技術(shù)也將向64層提升。

　　中國閃存市場China Flash Market預(yù)計三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年一季度可達到45%，二季度將達到50%以上，在3D NAND爆發(fā)元年將有很大的市場競爭優(yōu)勢。英特爾在2016年第三季度開始試產(chǎn)32層3D NAND，預(yù)計2017年中期轉(zhuǎn)至64層量產(chǎn);而2016年美光32層3D NAND MLC版本單Die容量32GB，TLC版本容量48GB，是目前除原廠品牌之外，市場3D SSD的主要貨源之一，在3D NAND技術(shù)上，美光選擇了跨過48層NAND閃存，計劃在2017年直接量產(chǎn)64層 NAND顆粒;海力士自然也不例外，2017年海力士計劃提升至72層3D NAND量產(chǎn)，公司將在一季度推出樣品，并于二季度開始小批量生產(chǎn)，從堆疊層數(shù)來看，已經(jīng)趕上甚至反超競爭對手。

　　雖然各個廠商都力圖提高制程，但在切換的過程中，3D NAND量產(chǎn)嚴重不足，良率過低，而2D NAND產(chǎn)能也在下滑，這種局面造成全年內(nèi)存都面臨缺貨的狀況，供不應(yīng)求也導(dǎo)致內(nèi)存價格一路飆升。行業(yè)咨詢機構(gòu)DRAM eXchange的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存在2017年一季度供貨依然緊張，NAND閃存芯片的平均價格在一季度上漲了20%~25%

　　長城證券在6月初的《電子元器件》周報的標題就是，“NAND閃存顆粒依舊供求，全球范圍閃存價格持續(xù)上漲 ”。該周報認為，“要等到所有的閃存原廠在3D制程上實現(xiàn)了完全突破，良率獲得大幅提升，幾大原廠能夠在同樣的技術(shù)和成本體系下進行競爭，當前存儲產(chǎn)品漲價情形可能會得到緩解。通過我們從市場了解到的情況來看，大部分閃存原廠都是在2017年開始量產(chǎn)基于最新堆疊層數(shù)的3D NAND技術(shù)產(chǎn)品，量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過最終封裝和分發(fā)到存儲廠商手中，然后經(jīng)由存儲廠商進行產(chǎn)品方案的選擇和最終推出到市場，可能還會經(jīng)歷一段時間。因此當前的漲價趨勢可能還會持續(xù)半年以上?！?