存儲芯片行業(yè)分析報告

• 方蔓桃 2024年4月24日 來源：百度 368 17
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同時，隨著AI、大數(shù)據(jù)、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，對存儲芯片的需求也在不斷增加。尤其是在AI領(lǐng)域，由于需要處理海量數(shù)據(jù)，對高性能、高容量的存儲芯片需求尤為迫切。因此，AI企業(yè)的采購計劃對存儲芯片市場的影響不容忽視。

存儲芯片是集成電路價值量最大的產(chǎn)品之一，存儲芯片行業(yè)更是關(guān)系到國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是培育和發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)、推動信息化與工業(yè)化深度融合的核心和基礎(chǔ)。因此，近年來我國國家層面先后出臺了一系列針對存儲芯片設(shè)計行業(yè)的產(chǎn)業(yè)政策，推動了行業(yè)的迅速發(fā)展。

2021Q3后，半導(dǎo)體下游需求出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化，消費電子增速放緩。2022Q2 以來受疫情影響，經(jīng)濟(jì)增速放緩，全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期。隨著新一輪來自人工智能、數(shù)字經(jīng)濟(jì)和智能汽車的創(chuàng)新催化，全球半導(dǎo)體銷售額增速在 2023Q2 出現(xiàn)拐點，我們判斷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪向上周期。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》分析：

存儲芯片行業(yè)市場深度分析

存儲原廠仍有漲價意愿，且本輪存儲價格上行周期可能至少會持續(xù)6-8個季度，因此存儲漲價趨勢或?qū)⒊掷m(xù)。這將有助于改善行業(yè)利潤率，提升企業(yè)的盈利能力。

同時，隨著AI、大數(shù)據(jù)、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，對存儲芯片的需求也在不斷增加。尤其是在AI領(lǐng)域，由于需要處理海量數(shù)據(jù)，對高性能、高容量的存儲芯片需求尤為迫切。因此，AI企業(yè)的采購計劃對存儲芯片市場的影響不容忽視。

然而，需要注意的是，存儲芯片市場的波動性較大，價格受供需關(guān)系、技術(shù)進(jìn)步、政策環(huán)境等多種因素影響。因此，雖然當(dāng)前存儲芯片市場呈現(xiàn)回暖和漲價趨勢，但未來市場走勢仍存在不確定性。企業(yè)和投資者需要密切關(guān)注市場動態(tài)，謹(jǐn)慎做出決策。

中金指出其大約每3至4年經(jīng)歷一次波動周期，上行周期通常由終端銷量激增、新技術(shù)應(yīng)用推廣、晶圓廠產(chǎn)能整合或減產(chǎn)等因素驅(qū)動，而下行周期則多由產(chǎn)能過剩、全球經(jīng)濟(jì)狀況不佳及市場需求萎靡等因素引發(fā)。此外，股價變動往往領(lǐng)先于公司基本面變化，提前1至2個季度做出反應(yīng)。利基存儲市場與大類存儲市場的趨勢同步性較高，供需結(jié)構(gòu)具有一定的相似性。

目前，存儲芯片行業(yè)的供給端去產(chǎn)能已初見成效，需求端景氣度逐漸修復(fù)，大類存儲產(chǎn)品的價格預(yù)計將持續(xù)上行。DDR4產(chǎn)品因產(chǎn)能受到HBM和DDR5的擠壓而出現(xiàn)短缺，預(yù)計其在2024年第一季度仍將保持景氣;NAND閃存則受益于客戶補庫需求，即便在傳統(tǒng)淡季也能保持需求強勁;HBM產(chǎn)品及新一代DDR5內(nèi)存則在AI計算需求的推動下呈現(xiàn)供不應(yīng)求的狀態(tài)，價格維持高位。

存儲模組方面，在上游存儲芯片價格反彈的帶動下，模組價格亦將相應(yīng)上漲。隨著服務(wù)器等下游產(chǎn)品需求回暖，存儲模組廠商的備貨意愿增強，臺灣和大陸的模組廠商自2023年第三季度開始戰(zhàn)略性備貨，中金預(yù)計這部分庫存將在2024年開始逐步釋放。

存儲芯片行業(yè)市場機(jī)遇分析

隨著各行業(yè)數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長、云計算需求增加、移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)的興起、5G網(wǎng)絡(luò)的推廣以及新興技術(shù)的發(fā)展，存儲芯片將持續(xù)受到需求的推動。同時，為了滿足不斷增長的需求和提高性能，存儲芯片制造商不斷推出新的技術(shù)和產(chǎn)品，技術(shù)創(chuàng)新將進(jìn)一步利好存儲芯片市場的發(fā)展。據(jù)預(yù)測，2028年中國存儲芯片市場規(guī)模有望超1200億美元。

近六年來我國存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國產(chǎn)芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模整體擴(kuò)大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復(fù)合增長率約為20.57%。

DRAM，全稱動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory)，是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于DRAM需要刷新(refresh)來定期保存數(shù)據(jù)，它只可用作暫時存儲器，即計算機(jī)主存或其它需要高速訪問的設(shè)備中的臨時數(shù)據(jù)存儲。

如果想要了解更多存儲芯片行業(yè)詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報告》。

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