IGBT被稱為電力電子行業(yè)的"CPU",是功率半導體重要發(fā)展方向。IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極管兩個部分組成,性能上高于MOSFET。
IGBT行業(yè)分析
IGBT被稱為電力電子行業(yè)的"CPU",是功率半導體重要發(fā)展方向。IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,它由絕緣柵型場效應管和雙極型三極管兩個部分組成,性能上高于MOSFET。兼具MOSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快和BJT通態(tài)電流大、導通壓降低、損耗小等優(yōu)點。目前行業(yè)技術迭代已經(jīng)從最初的平面穿通型IGBT到微溝槽場截止IGBT,英飛凌的IGBT芯片技術引進迭代到了第七代。
自上世紀80年代IGBT開啟工業(yè)化應用以來,IGBT技術經(jīng)歷了豐富的技術演變,涌現(xiàn)出六代不同的IGBT技術方案,但這些方案主要由英飛凌、三菱電機和富士電機等海外廠商主導。
目前,IGBT國產(chǎn)化已成為國家關鍵半導體器件的發(fā)展重點之一,IGBT也被列為國家"02專項"的重點扶持項目,相關產(chǎn)業(yè)進入高速發(fā)展階段。同時,廣闊的IGBT市場中也涌現(xiàn)出一批包括中車時代電氣、比亞迪、斯達半導等在內(nèi)的掌握IGBT核心技術的企業(yè),在產(chǎn)業(yè)政策和市場需求的驅動下,IGBT國產(chǎn)化進程加速啟動。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《2022-2027年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》分析
中國已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場,近年來IGBT產(chǎn)量及需求量持續(xù)增長。2021年我國IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達到0.26億只,需求量約為1.32億只。預計2022年我國IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達到0.41億只,需求量約為1.56億只。
全球范圍內(nèi)功率半導體下游領域中,中國市場則按份額順序依次為汽車(27%)、消費電子(23%)、工業(yè)電源(19%)、電力(15%)、通信及其他(16%)。在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,IGBT下游的風電產(chǎn)業(yè)、光伏和新能源汽車等領域發(fā)展迅速,對IGBT模塊需求逐步擴大,新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動IGBT市場的高速增長。
新能源將是IGBT最大增量
目前行業(yè)需求工控為基本盤,中國年化規(guī)模增速在8%,全球在增速在3-5%,預計到2025年全球工業(yè)控制IGBT市場規(guī)模將達到170億元。
新能源汽車是最大增量,IGBT是新能源汽車中的核心元器件,應用包括電機控制器、車載充電器(OBC)、車載空調(diào)、以及為新能源汽車充電的直流充電樁中。
新能源汽車銷量的快速增長為IGBT帶來了新增需求,2021年在新能源乘用車已經(jīng)有著較大的銷售規(guī)模的基礎上實現(xiàn)了181%的銷量增長。
國產(chǎn)替代為行業(yè)發(fā)展重點目標
當前我國IGBT等高技術、高附加值的新型功率器件產(chǎn)品的國產(chǎn)化程度較較低,進口依賴程度較大。近年來,國家高度重視IGBT等半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,出臺一系列政策來推進產(chǎn)品國產(chǎn)化進程,國產(chǎn)替代也成為國內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢和促進行業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的主要驅動因素。目前,國內(nèi)IGBT相關企業(yè)的技術研發(fā)相繼取得成功,比亞迪、斯達半導、中車集團等企業(yè)已實現(xiàn)部分相關產(chǎn)品的量產(chǎn),此外華為也已組建專門負責IGBT技術研發(fā)的人才團隊??梢灶A見,國產(chǎn)替代將是行業(yè)未來發(fā)展主旋律。
想要了解更多IGBT行業(yè)的發(fā)展前景,請查閱《2022-2027年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》。
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2022-2027年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,集合了MOSFET開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小和BJTI...
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