中國(guó)IGBT行業(yè)應(yīng)用現(xiàn)狀 中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展前景分析

• 周迅 2023年9月26日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 540 29
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從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級(jí)，從平面穿通型到溝槽型電場(chǎng)到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。IGBT是在電器設(shè)備中實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、傳輸和控制的核心器件，可以

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。

根據(jù)封裝形式的不同，可以分為IGBT單管和IGBT模塊，由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管，由多個(gè)IGBT芯片和多個(gè)FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示：

中國(guó)IGBT行業(yè)應(yīng)用現(xiàn)狀

從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級(jí)，從平面穿通型到溝槽型電場(chǎng)到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。

IGBT是在電器設(shè)備中實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、傳輸和控制的核心器件，可以說(shuō)是電力電子裝備的“心臟”，高效節(jié)能減排的主力軍。

就應(yīng)用場(chǎng)景而言，IGBT可分為消費(fèi)類、工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)，車規(guī)級(jí)IGBT相對(duì)于工業(yè)級(jí)IGBT，對(duì)諸多耐受指標(biāo)要求更為嚴(yán)格。與工業(yè)IGBT模塊相比，車規(guī)級(jí)IGBT設(shè)計(jì)需保證開(kāi)通關(guān)斷、抗短路和導(dǎo)通壓降三者平衡，參數(shù)優(yōu)化非常特殊復(fù)車規(guī)級(jí)IGBT芯片通常在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下工作，芯片設(shè)計(jì)需保證開(kāi)通關(guān)斷、抗短路能力和導(dǎo)通壓降(控制熱量)三者處于均衡狀態(tài)，芯片設(shè)計(jì)與參數(shù)調(diào)整優(yōu)化非常特殊復(fù)雜，技術(shù)壁壘更高。

各電壓等級(jí)IGBT應(yīng)用領(lǐng)域各不相同：

1、低壓領(lǐng)域：IGBT主要應(yīng)用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領(lǐng)域，隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升，帶動(dòng)相關(guān)IGBT需求持續(xù)上升。

2、中壓領(lǐng)域：隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展，新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設(shè)工程逐步加強(qiáng)，我國(guó)工業(yè)逆變焊機(jī)、逆變頻器市場(chǎng)持續(xù)升溫，USB電源與新能源發(fā)電市場(chǎng)穩(wěn)步增長(zhǎng)。

3、高壓領(lǐng)域：主要應(yīng)用于軌道交通和電網(wǎng)傳輸領(lǐng)域，二者發(fā)展規(guī)模與投資規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。

中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展前景分析

IGBT發(fā)展不斷超預(yù)期，國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)快速發(fā)展的黃金時(shí)期。目前，全球IGBT領(lǐng)域，不管是芯片、單管還是模塊，英飛凌、三菱、富士電機(jī)都占據(jù)了50%以上的市場(chǎng)份額。同時(shí)，在3300V以上的高端IGBT領(lǐng)域，海外廠商的IGBT產(chǎn)品的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位仍十分明顯。中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場(chǎng)，但國(guó)產(chǎn)化率低，國(guó)產(chǎn)替代空間大。

國(guó)產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴(kuò)產(chǎn)，憑借性價(jià)比、本土供應(yīng)鏈便利性是很有可能趁機(jī)擴(kuò)大市場(chǎng)份額的。從我國(guó)IGBT應(yīng)用結(jié)構(gòu)情況來(lái)看，工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應(yīng)用領(lǐng)域。其中新能源汽車占比約為31%，工業(yè)控制占比約為20%，新能源發(fā)電占比約為11%。

作為電力電子技術(shù)最具代表性的產(chǎn)品，IGBT是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，應(yīng)用場(chǎng)景包括變頻器、逆變焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、工業(yè)電源等。

IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國(guó)能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，新能源發(fā)電、新能源汽車等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

本報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場(chǎng)調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家經(jīng)濟(jì)信息中心、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、全國(guó)商業(yè)信息中心、中國(guó)經(jīng)濟(jì)景氣監(jiān)測(cè)中心、中國(guó)行業(yè)研究網(wǎng)、國(guó)內(nèi)外相關(guān)報(bào)刊雜志的基礎(chǔ)信息、行業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料以及對(duì)行業(yè)內(nèi)企業(yè)調(diào)研訪察所獲得的大量第一手?jǐn)?shù)據(jù)，對(duì)我國(guó)IGBT市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r、供需狀況、競(jìng)爭(zhēng)格局、贏利水平、發(fā)展趨勢(shì)等進(jìn)行了分析。

報(bào)告重點(diǎn)分析了IGBT前十大企業(yè)的研發(fā)、產(chǎn)銷、戰(zhàn)略、經(jīng)營(yíng)狀況等。報(bào)告還對(duì)IGBT市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，為IGBT生產(chǎn)廠家、流通企業(yè)以及零售商提供了新的投資機(jī)會(huì)和可借鑒的操作模式。

了解更多行業(yè)數(shù)據(jù)詳情，可以點(diǎn)擊查閱中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2023-2028年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告

  IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJTI...

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