日本半導體材料廠商相繼開始增強產能 半導體行業(yè)分析

• 2021年10月9日 ZhouJiaLiang來源：互聯(lián)網 518 28
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日本的半導體材料廠商將相繼開始增強產能。硅晶圓廠商SUMCO在9月30日宣布投資2287億日元，增產最先進的直徑300毫米晶圓。

日本半導體材料廠商相繼開始增強產能

據媒體報道，日本的半導體材料廠商將相繼開始增強產能。硅晶圓廠商SUMCO在9月30日宣布投資2287億日元，增產最先進的直徑300毫米晶圓。此外，富士膠片控股將在到2023財年(截至2024年3月)的3年里，向半導體材料業(yè)務投資700億日元;將向靜岡縣工廠投入45億日元，提高最尖端的EUV(極紫外)光刻膠的產能。住友電木將對中國子公司蘇州住友電木有限公司投入25億日元，建設新生產線。

“臻驅科技”獲3億元B2輪融資

國內半導體行業(yè)也不斷發(fā)展。據悉，國產功率半導體模塊及電驅動系統(tǒng)解決方案公司“臻驅科技”完成3億元的B2輪融資，由中金資本領投，容億投資、招商局資本、浦東科創(chuàng)集團旗下海望資本等新股東跟投。此外，君聯(lián)資本、福?；?、聯(lián)想創(chuàng)投等老股東繼續(xù)加碼。本輪融資將主要用于多個量產項目的運營資金保障、產線擴容，以及下一代碳化硅電驅動方案和功率半導體模塊的研發(fā)和市場推廣。

第三代半導體產業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜

二十一世紀以來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導體材料可以實現(xiàn)更好的電子濃度和運動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。

當前，第三代半導體產業(yè)發(fā)展處于爆發(fā)前夜，全球資本加速進入，產業(yè)、資本同處“搶跑”階段。自2017年至今，近五年時間內，全國超20個省、覆蓋超40個城市，新簽約落地第三代半導體項目超60個，總投資金額超2000億元。盡管全國已布局第三代半導體項目眾多，但真正量產的并不多，加之下游應用市場增長，國內現(xiàn)有產品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口。

盡管全國已布局第三代半導體項目眾多，但由于產線建設調試周期較長、項目爛尾等問題，真正量產的并不多;加之下游應用市場增長，國內現(xiàn)有產品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口，且國內企業(yè)產品成本、性能等方面競爭力不足，因此，我國第三代半導體各環(huán)節(jié)國產化率較低，有數(shù)據顯示，目前超過八成的產品依賴進口。

中國大力發(fā)展第三代半導體

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業(yè)扶持政策，重點發(fā)展第三代半導體產業(yè)，解決半導體行業(yè)“卡脖子”問題。在火熱的市場環(huán)境下，各地政府也積極參與到三代半導體項目的投資建設當中。

因三代半導體投資規(guī)模相對較低，產業(yè)鏈上游的材料及生產環(huán)節(jié)不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數(shù)據顯示，2018-2020年，我國僅SiC項目政府投資達到32個，計劃投資金額超過700億。

近兩年的投資熱潮，也使得該領域的企業(yè)普遍估值偏高，產生了泡沫，一些項目在未來3-5年很可能難以落地，行業(yè)將迎來一次洗牌。

在5G信息技術時代，第三代半導體迎來新發(fā)展機遇，新基建的實施助推第三代半導體產業(yè)發(fā)展進入黃金窗口期，呈現(xiàn)一派發(fā)展好勢頭，有望逐步實現(xiàn)自主可控、安全可靠的第三代半導體產業(yè)體系，與第一代、第二代半導體優(yōu)勢互補、協(xié)同支撐新一代信息技術創(chuàng)新發(fā)展，支撐中國新時期社會經濟的高質量發(fā)展。

想要了解更多半導體行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2021-2025年中國半導體行業(yè)競爭分析及發(fā)展前景預測報告》。

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