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2022車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)總體規(guī)模分析

  • 2021年12月29日 WuYaNan來源:互聯(lián)網(wǎng) 287 11
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近兩年,F(xiàn)lash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。小到汽車攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。

2022車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)總體規(guī)模分析

近兩年,F(xiàn)lash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。小到汽車攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場(chǎng)空間就將達(dá)到6.7億美元。伴隨著5G基站的高密度布局,物聯(lián)網(wǎng)對(duì)NOR Flash將是一個(gè)長(zhǎng)期利好。

隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展,以及蘋果iPhone 12 Pro搭載了激光雷達(dá),讓激光雷達(dá)在市場(chǎng)又火了一把。激光雷達(dá)經(jīng)過幾年的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈從芯片、模組和系統(tǒng)方案商、客戶領(lǐng)域都逐漸完備,上市公司從2020年底逐漸增多,各個(gè)企業(yè)都在廣積糧。領(lǐng)域主要分為四大類:消費(fèi)類、車載類、工業(yè)類、安防類,消費(fèi)類和車載類的客戶都是追求最新技術(shù)、最高性價(jià)比、且最能夠迅速起量,是各家的必爭(zhēng)之地,競(jìng)爭(zhēng)也最激烈。

NOR Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲(chǔ),其市場(chǎng)曾隨著功能的消亡而逐步萎縮,目前憑借著其“內(nèi)執(zhí)行”的特點(diǎn)在、TWS、5G、車載等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,市場(chǎng)規(guī)模逐步恢復(fù)。旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新為行業(yè)市占率排名領(lǐng)先企業(yè),2020年一季度市場(chǎng)份額分別為26.2%、24.5%、18.8%,目前產(chǎn)能分別為20K、18K、9K。

根據(jù)中研普華研究院《2022年車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報(bào)告》顯示:

NAND閃存和存儲(chǔ)控制芯片市場(chǎng)發(fā)展分析

第一節(jié) NAND閃存顆粒市場(chǎng)規(guī)模分析

一、全球NAND閃存顆粒市場(chǎng)規(guī)模分析

閃存已經(jīng)成為智能手機(jī)的一個(gè)重要組成部分。NAND閃存的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),主要受智能手機(jī)平均容量增長(zhǎng)的推動(dòng)。智能手機(jī)的NAND閃存可以顯著提高瀏覽網(wǎng)頁、郵件加載、游戲甚至Facebook等社交網(wǎng)站的性能。隨著智能手機(jī)的普及,各家公司都在添加額外的功能和應(yīng)用程序,以將自己的產(chǎn)品與其他制造商區(qū)分開來。例如,制造商正在將手勢(shì)控制、指紋掃描儀和GPS等功能集成到設(shè)備中。這提振了對(duì)NAND閃存的需求。NAND閃存被用作智能手機(jī)的代碼存儲(chǔ)媒體。初步預(yù)計(jì)未來全球NAND閃存顆粒將保持10%以上的年均復(fù)合增速,到2026年市場(chǎng)規(guī)模超過1000億美元。

圖表:2022-2026年全球NAND閃存卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)(單位:億美元)

數(shù)據(jù)來源:中研普華資料整理

二、中國(guó)NAND閃存顆粒市場(chǎng)規(guī)模分析

隨著5G無線通信的到來,智能手機(jī)的使用將會(huì)成倍增加,對(duì)最新型號(hào)不斷提高標(biāo)準(zhǔn)的需求也會(huì)增加。中國(guó)作為5G建設(shè)的主要國(guó)家,初步估計(jì)未來中國(guó)NAND閃存顆粒的市場(chǎng)銷售額將保守保持15%以上的年均復(fù)合增速,到2026年市場(chǎng)銷售規(guī)模超過3000億人民幣。

圖表:2022-2026年中國(guó)NAND閃存卡行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)(單位:億元)

數(shù)據(jù)來源:中研普華資料整理

第二節(jié) NAND閃存顆粒市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

一、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

存儲(chǔ)芯片是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。國(guó)外廠商憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)以及在終端市場(chǎng)的品牌優(yōu)勢(shì),占據(jù)了大部分的市場(chǎng)份額。

NANDFlash的市場(chǎng)由三星、西數(shù)、鎧俠等6家企業(yè)壟斷。目前NANDFlash的發(fā)展方向是3D堆疊,國(guó)外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NANDFlash。國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已宣布128層產(chǎn)品研發(fā)成功,與國(guó)外先進(jìn)企業(yè)的差距越來越小,已成為存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)自主化的中堅(jiān)力量。國(guó)內(nèi)還有SLCNAND的設(shè)計(jì)企業(yè),包括北京君正、兆易創(chuàng)新等。

二、技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)格局

三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等專注于大容量的NANDFlash,目前SLCNAND其他供應(yīng)商主要為中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新等企業(yè),其中華邦電子和旺宏電子占據(jù)了較高的市場(chǎng)份額,隨著國(guó)產(chǎn)化需求的不斷提高,國(guó)內(nèi)企業(yè)將迎來良好的發(fā)展契機(jī)。

SLCNAND的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要為提升產(chǎn)品制程以及提高產(chǎn)品的性能。在制程節(jié)點(diǎn)方面,SLCNAND領(lǐng)域成熟的工藝水平已經(jīng)達(dá)到1xnm,采用此工藝水平的產(chǎn)品已經(jīng)大量出貨,未來產(chǎn)品將進(jìn)一步微縮制程。

在產(chǎn)品性能方面,SLCNAND最重要的性能指標(biāo)是可靠性、功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度等。目前SLCNAND擦寫次數(shù)達(dá)到10萬次,數(shù)據(jù)保存時(shí)間達(dá)到10年;在功耗方面待機(jī)電流達(dá)到10μA;在傳輸速度方面,當(dāng)前SLCNAND芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為104MHz。未來SLCNAND芯片主要在降低成本和功耗、提升數(shù)據(jù)讀取速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。

2022年,176層3D NAND或?qū)⒊蔀槭袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的主旋律。當(dāng)前各大原廠的主力工藝在96層和128層,176層的產(chǎn)能占比約為5%,2022年,這個(gè)比重預(yù)計(jì)將進(jìn)一步提升,預(yù)計(jì)到2022年底176層NAND的產(chǎn)出比重將超過25%。由于NAND Flash堆疊層數(shù)的技術(shù)推進(jìn),未來供應(yīng)商仍將持續(xù)追求推進(jìn)更高層數(shù),以降低每GB的生產(chǎn)成本。因此,預(yù)期該產(chǎn)業(yè)的資本支出仍有增長(zhǎng)空間,供應(yīng)商同時(shí)開始研發(fā)2XX層產(chǎn)品技術(shù)。

三、產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)格局

近兩年來,三星和鎧俠在NAND Flash市場(chǎng)上的投資熱度不減,2020年三星位于中國(guó)西安二期1階段開始投產(chǎn),新建的二期第二階段項(xiàng)目也在2021年下半年竣工,而平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線也在2021下半年開始量產(chǎn), 2021年三星產(chǎn)能增加明顯。

鎧俠與西部數(shù)據(jù)Fab6工廠在2021年持續(xù)提高NAND Flash Wafer產(chǎn)量,位于巖手縣北上市的新工廠K1已在2020年開始少量投產(chǎn), 2021年Wafer產(chǎn)量有明顯增加。此外,鎧俠四日市存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地北側(cè)正在新建Fab7工廠,第一階段建設(shè)計(jì)劃于2022年春季完成,還將在現(xiàn)有的K1工廠旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠區(qū),計(jì)劃2022年春季完成,未來3年內(nèi),鎧俠與西部數(shù)據(jù)NAND Flash Wafer產(chǎn)能將呈持續(xù)增長(zhǎng)之勢(shì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目于2016年底開工,總投資240億美元,分兩期建設(shè)3DNAND閃存晶圓廠。一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬片月產(chǎn)能。二期項(xiàng)目追加產(chǎn)能20萬片,建成后長(zhǎng)江存儲(chǔ)總產(chǎn)能將達(dá)30萬片,預(yù)計(jì)到2023年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球3DNANDFlash產(chǎn)能中的占比將提高到10.8%,根據(jù)規(guī)劃2030 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃實(shí)現(xiàn)100萬片月產(chǎn)能,進(jìn)一步提升自身全球市占率。

報(bào)告對(duì)我國(guó)車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、子行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析,重點(diǎn)分析了國(guó)內(nèi)外車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài),對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

想了解更多關(guān)于車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用行業(yè)專業(yè)數(shù)據(jù)分析,請(qǐng)點(diǎn)擊查看中研普華研究院《2022年車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報(bào)告》。

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